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[学位论文] 作者：倪贤锋,,
来源：华东政法大学 年份：2014
美国跨国公司海外商业贿赂丑闻不断，在破坏公平竞争的市场秩序的同时也影响了公共对市场的信心。为了打击美国跨国公司海外商业贿赂行为，美国国会通过了《反海外腐败法》。《反......
[学位论文] 作者：倪贤锋,
来源： 年份：2004
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用前景。常规的氮化镓基器件通常是制作在蓝宝石上的。然而，由于蓝宝石衬底自身绝缘且硬度大，器件工艺复杂，制作成本费用高；而且由于它导......
[期刊论文] 作者：倪贤锋,叶志镇,
来源：材料导报 年份：2003
氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射...
[期刊论文] 作者：朱丽萍,叶志镇,赵炳辉,倪贤锋,赵浙,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置，能够较好的调节反应气体的流动状态，从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生......
[会议论文] 作者：叶志镇;朱丽萍;赵炳辉;倪贤锋;赵浙;,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生...
[期刊论文] 作者：洪炜,朱丽萍,叶志镇,唐海平,倪贤锋,赵浙,,
来源：材料导报 年份：2005
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,...
[会议论文] 作者：唐海平,叶志镇,朱丽萍,赵炳辉,洪炜,倪贤锋,赵浙,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(0002)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)为560arcsec.用拉曼光谱表征样品(0002)面处于双轴张应力状态.......
[会议论文] 作者：洪炜,朱丽萍,叶志镇,唐海平,赵浙,倪贤锋,赵炳辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10cm,迁移率5.54cm/Vs,电阻率0.144Ωcm.对p-GaN Raman分析得出RTA能有效消除Mg-H复合体振动模产生的峰,说明RTA对Mg的激活效果好.对p-GaN DCXRD(双晶......
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