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发布年度:
[会议论文] 作者：傅雄强,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：傅雄强,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文就生长速度和温度对不掺杂Ｎ／Ｎ〈’＋〉型硅外延层电阻的影响进行探讨。...
[期刊论文] 作者：傅雄强,魏雅敏,
来源：微电子学 年份：1994
计算表明，ｐ型硅外延层的电阻率对其生长速度和生长温度的变化都是十分敏感的。为了保证ｐ型硅外延片的电阻率具有良好的可控性和重现性，除了充分抑制重掺硼衬底的自掺杂作用外，还需......
[期刊论文] 作者：傅雄强,张蓬英,宁培琪,
来源：稀有金属 年份：1984
按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40～50微米)的电阻率在100欧姆-厘米以上。最高可达300欧姆-...
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