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[期刊论文] 作者：冯文修,
来源：广东电子 年份：1994
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[期刊论文] 作者：冯文修,刘剑,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2000
用文献「４」中的理论和实验结果论证了本文作者在１９８７年首先采用新的方法求解ｐ型半导体在过渡温度范围的霍尔系数极值所得到的一系列新结论。理论和实验验证结果的一致证明了新的霍......
[期刊论文] 作者：马生祥,冯文修,
来源：山西水土保持科技 年份：1997
在调查分析流域现状的基础上，根据坝系相对稳定理论，按坝系相对稳定条件和标准，采用坝系相对稳定系数１／２０，暴雨洪水频率２％，对全流域进行凡系规划，使坝系形成后达到相对稳定，以实现对流域洪......
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：冯文修,黄世平,
来源：半导体学报 年份：1997
用卤素钨灯作辐射热源，对超薄ＳｉＯ２进行快速热氮化（ＲＴＮ）制备了ＳｉＯｘＮｙ膜，研究了不同ＲＴＮ条件下制备的ＳｉＯｘＮｙ样品的ＡＥＳ测量的氮纵向分布。研究结果表明，在较低的温度下（〈９００℃）氮化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容......
[期刊论文] 作者：冯文修,赵寿南,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1990
本文针对n型硅单晶,在常温下进行霍尔效应实验,研究了霍尔系数与压缩应力的关系。研究结果表明,样品的霍尔系数绝对值随着作用于样品压缩应力的增加而减少。应力增加一个数量...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,冯文修,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试，研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征，侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时......
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,等,
来源：半导体学报 年份：2001
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN）10nmSiO2膜，制备了＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上的Si-SiOxNy－Al电容结构，研究了电子从＜100＞和＜111＞不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜（或原始SiO2膜）的漏电......
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,等,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2001
用卤素－钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN），在＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上制备了Si-SiOxNyAl电容，并测量了由低场到F－N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输特性。测量......
[期刊论文] 作者：冯文修,刘剑,陈蒲生,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2000
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[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,黄世平,
来源：半导体学报 年份：1998
在Ｎ－Ｓｉ（１００）衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构，研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系，研究结果表明，在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度......
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,黄世平,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
将热生长的超薄（４－２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速工艺系统中，用快速热氮化工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学和动力学与温度关系及其对氮化质......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,徐美根,冯文修,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速热氮化SiO_xN_y膜的界面态密度随禁带中能量...
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,黄世平,
来源：半导体学报 年份：1997
用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓......
[期刊论文] 作者：冯文修,张恒,陈蒲生,田浦延,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2003
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,刘剑,张昊,冯文修,
来源：半导体技术 年份：2004
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电...
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2001
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑,
来源：华南理工大学学报 年份：2004
用卤素-钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)，在〈100〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了SiSiOxNyAl电容，并测量了由低场到FN隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输...
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,田浦延,刘剑,
来源：半导体学报 年份：2001
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅...
[期刊论文] 作者：冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2001
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜...
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