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[期刊论文] 作者：冯耀兰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
全面介绍了２７－３００℃宽温区高温ＭＯＳ器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明，选取优化的设计参数可使设计的ＭＯＳ器件在２７－３００℃宽温区工作并获得最佳高温性能。......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
在对体硅ＭＯＳＦＥＴ高温泄漏电流研究的基础上，深入研究了ＳＯＩ材料ＭＯＳＦＥＴ泄漏电流的组成，解析式及高温模拟结果，并与体硅ＭＯＳＦＥＴ进行了比较，证明了薄膜ＳＯＩ材料ＭＯＳＦＥＴ的高温泄漏电流明显减小，因而在高温领域中有着广播的......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
首先介绍了体硅ＭＯＳ器件在２５～３００℃范围高温特性的实测结果和分析，进而给出了薄ＳＯＩ ＭＯＳ器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析，最后介绍了国际有关报道的ＳｉＣ ＭＯＳ器件在２２～４５０℃范围的高温特性。在上......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,
来源：电子器件 年份：1997
根据薄膜ＳＯＩ ＭＯＳ器件的特点和高温应用的特殊考虑，采用计算机模拟技术，得出最大耗尽层宽度ｘｄｍａｘ和衬底掺杂浓度ＮＢ及温度Ｔ的关系曲线。研究结果表明，在常温下ｘｄｍａｘ随ＮＢ的增大而减小当ＮＢ一定时，ｘａｍａｘ随温度的升......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,
来源：电子科技导报 年份：1996
本文全面介绍了高温ＭＯＳ器件物理基础、宽温我ＭＯＳＦＥＴ和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温ＭＯＳ器件设计的特殊考虑和优化设计、高温ＭＯＳ器件模拟技术及模拟和验证。......
[期刊论文] 作者：郑茳,冯耀兰,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1990
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[期刊论文] 作者：冯耀兰,郑茳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,李丽,
来源：微电子学 年份：1996
详细研究了利用解析模型模拟器件特性的方法，提出了ＭＯＳ器件高温特性的解析模型及模拟程序的结构框图。模拟结果表明，漏结泄漏电流是影响ＭＯＳ器件高温特性的主要因素。...
[期刊论文] 作者：黄金彪,冯耀兰,
来源：电子器件 年份：1991
本文介绍硅锗技术在提高器件和电路性能方面的新发展,包括用于提高器件速度和低温下应用的硅锗异质结双极晶体管(HBT),以及用于提高PMOS管空穴迁移率的硅锗异质结构....
[期刊论文] 作者：郑茳,冯耀兰,
来源：应用科学学报 年份：1990
禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,郑茳,
来源：电力电子技术 年份：1989
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[会议论文] 作者：冯耀兰,郑茳,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 年份：1987
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[期刊论文] 作者：郑茳,冯耀兰,
来源：电子科学学刊 年份：1989
禁带宽度和少子复合寿命是硅晶体管发射区中重要的物理参数。本文利用p-n结反向扩散电流的温度特性和借助于线性外推法,提出了一种确定绝对零度时禁带宽度的新方法。由于发射...
[期刊论文] 作者：郑茳,冯耀兰,
来源：电子器件 年份：1987
本文通过对正反向电流增益温度特性的研究,从补偿角度出发,研制成功了一种电流增益高温稳定的新结构晶体管,测试结果和理论分析相一致,从而解决了双极型晶体管中的一个重要而...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：电子器件 年份：1996
本文介绍了ＳＯＩ材料ＭＯＳ器件内部特性（杂质浓度分布、载流子浓度分布、电流密度分布及电势分布）在３００Ｋ和５３７Ｋ条件下的模拟结果，并进行了理论分析和验证。...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：电子器件 年份：1995
本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：电子器件 年份：1994
本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明，由于高温下晶......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
介绍了硅材料本征载流子浓度ｍｉ、禁带宽度Ｅｇ、电子和空穴有效质量ｍｎ和ｍｐ及载流子迁移率μ的高温模型和计算结果。其中ｎｉ、Ｅｇ和ｍｎ、ｍｐ模型分别适用于３００￣１２００Ｋ和３００￣７００Ｋ，μ的模型在２５０￣５００Ｋ宽温区及１０＾１３￣１０＾２０ｃｍ＾－３杂质浓度范围内，最大误......
[期刊论文] 作者：郑茳,冯耀兰,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复...
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