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[学位论文] 作者：刘弋波,
来源：北京大学 年份：2003
该文引入了适用于异质结器件模拟的流体动力学模型,并在三角网络上完成离散.引入了各种半导体材料的物理模型和参数,并给出了如何根据锗的摩尔比X来计算合金材料应变GeSi中的...
[期刊论文] 作者：丁然,林建文,朱振华,刘弋波,
来源：中国集成电路 年份：2020
深度学习是当前人工智能领域的关键技术之一,它在图像识别、语音识别、自然语言处理等领域均取得了突破性的成绩,大大推进了人工智能的发展。然而,随着深度学习的发展,它的核...
[期刊论文] 作者：刘弋波,刘恩峰,刘晓彦,韩汝琦,
来源：半导体学报 年份：2003
利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。...
[期刊论文] 作者：杜刚,刘弋波,孙雷,刘晓彦,韩汝琦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件,对n沟肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟,详细分析了沟道区掺杂浓度,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对SBTT...
[期刊论文] 作者：刘晓彦,刘恩峰,杜刚,刘弋波,夏志良,韩汝琦,
来源：半导体学报 年份：2003
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行...
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