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[学位论文] 作者：刘玉资,
来源：中国科学院物理研究所 年份：2007
本论文针对在未来光电子和自旋器件应用方面具有重要前景的ZnO磁性掺杂及隧道结材料中关键科学和技术问题，利用电子显微分析在低维纳米结构研究中的综合优势，综合衍衬像(Diffra......
[期刊论文] 作者：戴涛,刘玉资,张泽,,
来源：物理学报 年份：2006
介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极...
[会议论文] 作者：张泽,王勇,刘玉资,戴涛,张喆,
来源：电子显微学报 年份：2005
随着现代信息科学技术的发展,自旋阀、磁隧道结等自旋电子学材料及半导体量子阱等光电材料日益受到人们的关注.由于电子显微学方法在衍射、成像及谱学方面具备综合优势,近来...
[期刊论文] 作者：刘玉资,英敏菊,杜小龙,薛其坤,张泽,
来源：电子显微学报 年份：2005
由于具有纤维锌矿结构的ZnO和GaN在宽禁带半导体方面存在很大的应用潜力,国际上很多研究组已经将在不同条件下生长的ZnO和GaN薄膜的微结构进行了研究.在众多试验中他们发现存...
[期刊论文] 作者：赵昆,邢杰,刘玉资,赵见高,吕惠宾,,
来源：科学通报 年份：2007
采用对靶溅射技术制备了多相共存的Fe-氧化物薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的测试表明薄膜存在有多相:Fe,Fe3O4,γ-Fe2O3,FeO.高分辨透射电子显微镜结果表明薄膜由柱状颗...
[期刊论文] 作者：曾兆权, 杜小龙, 刘玉资, 英敏菊, 梅增霞, 郑浩, 袁,
来源：电子显微学报 年份：2005
宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性.ZnO在高自由激子结合能(60meV)、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势,...
[期刊论文] 作者：英敏菊,杜小龙,刘玉资,曾兆权,梅增霞,郑浩,袁洪涛,贾金锋,
来源：半导体学报 年份：2005
利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发...
[期刊论文] 作者：英敏菊,杜小龙,刘玉资,曾兆权,梅增霞,郑浩,袁洪涛,贾金锋,
来源：半导体学报 年份：2004
利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发...
[期刊论文] 作者：曾兆权,杜小龙,刘玉资,英敏菊,梅增霞,郑浩,袁洪涛,郭丽伟,贾金锋,薛其坤,张泽,
来源：电子显微学报 年份：2005
宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性。ZnO在高自由激子结合能(60meV)、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势...
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