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[期刊论文] 作者:华庆恒,
来源:电子材料快报 年份:1999
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[期刊论文] 作者:华庆恒,
来源:电子材料快报 年份:1999
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[会议论文] 作者:华庆恒,
来源:中国电子学会生产技术分会理化专委会第五届年会 年份:1995
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[会议论文] 作者:华庆恒,
来源:中国电子学会第四届理化分析经验交流会 年份:1990
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[期刊论文] 作者:华庆恒,,
来源:微电子学 年份:2004
半导体中各种不均匀性对迁移率的影响在理论上已有不同深度的认识。尤里斯克处理过导体中不导电腔的影响,克劳福特讨论过半导体中由快中子辐照引进的畸变区的作用;白梯查明...
[期刊论文] 作者:华庆恒,,
来源:微电子学 年份:1973
近来,砷化镓微波功率源器件多半采用外延材料作有源区。在国内,期望能作限累器件的体单晶工作仍在开展。努力的重点集中于进一步提高材料的纯度、温度性能、以及均匀性等几...
[期刊论文] 作者:华庆恒,,
来源:半导体技术 年份:1986
ESCA(用于化学分析的电子能谱)是研究半导体、催化剂、聚合物等物质表面的有力工具。在去年的匹兹堡会议上首次展出了两种类型的小面积ESCA。一种是由Kevex公司生产的SSX-10...
[期刊论文] 作者:任殿胜,华庆恒,
来源:分析测试学报 年份:1996
介绍了一种无需溅射、无需变角,只需一次简单的XPS(X射线光电子能谱)窄扫描,即可根据谱图中氧化态和金属态的相对强度算出铝金属表面氧化铝的厚度。用该法测量了一系列不同方法处理的......
[期刊论文] 作者:任殿胜,华庆恒,
来源:分析测试学报 年份:1997
用X射线光电子能谱(XPS)研究几种不同工艺制备的匀胶铬版表面,铬膜内部以主各层之间界面处的微观化学组成和化学状态,讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。......
[期刊论文] 作者:严如岳,华庆恒,
来源:半导体杂志 年份:1991
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[期刊论文] 作者:华庆恒,刘春香,
来源:半导体杂志 年份:1991
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[期刊论文] 作者:华庆恒,严如岳,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1990
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖...
[期刊论文] 作者:严如岳,华庆恒,
来源:半导体杂志 年份:1991
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[期刊论文] 作者:任殿胜,华庆恒,
来源:化学物理学报 年份:1997
用X射线光电子能谱(XPS)结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同x值的AlxGa1-xAs/GaAs异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析,发现Al向表面偏析的现象及As和Al的择优溅射问题,并对此......
[会议论文] 作者:华庆恒,汝琼娜,
来源:中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份:1999
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[期刊论文] 作者:华庆恒,陈鸿仪,,
来源:微电子学 年份:1973
在水平舟生长砷化镓单晶制备过程中,熔体与舟之间沾结是首先碰到的一个问题。尽管对石英舟表面作喷砂处理可以改善这一状况,然而并未能够彻底解决。在砷化镓的熔点温度下,如...
[期刊论文] 作者:陈诺夫,张若愚,华庆恒,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1992
叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~...
[期刊论文] 作者:陈诺夫,张若愚,华庆恒,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1987
本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法,测量了A1_xGa_(1-x)As/GaAs LOC(Large Optical Cavity)激光器中的深中心,并初步分析了这些深中心与Al含量的关系,以及对器件退化的影响。...
[期刊论文] 作者:杨瑞霞,李光平,华庆恒,
来源:半导体技术 年份:1990
用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位...
[期刊论文] 作者:任殿胜,华庆恒,刘咏梅,严如岳,
来源:化学物理学报 年份:1997
用X射线光电子能谱(XPS)结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同x值的AlxGa1-xAs/GaAs异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析,发现Al向表面偏析的现象及As和Al的择优溅射问题,并对此......
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