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[学位论文] 作者：卢京辉,
来源：清华大学 年份：2000
该论文通过在原有国产FW-Ⅳ型分子束外延(MBE)系统上加装新型Ⅴ族阀控裂解固态源炉,在国内首次实现了全固源MBE含磷材料的生长,并对利用全固源MBE技术生长InP和InGaAsP材料的...
[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,
来源：半导体学报 年份：2000
在国产分子束外延设备的基础上，利用新型三温区阀控裂解源炉，对ＩｎＰ及ＩｎＧａＡｓＰ材料的全固源分子束处延（ＳＳＭＢＥ）生长进行了研究。生长了高质量的ＩｎＰ外延层，表面缺陷密度为６５ｃｍ＾－２，非故意掺杂电子浓度约为１×１０＾１６ｃｍ＾－３。......
[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,
来源：材料导报 年份：1999
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、...
[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,
来源：电子产品世界 年份：1999
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[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,周丹,罗毅,
来源：材料导报 年份：1999
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、...
[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,周丹,罗毅,
来源：电子产品世界 年份：1999
１．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用与发展对于提高半导体材料的质量和器件的性......
[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,任在元,罗毅,
来源：半导体学报 年份：2000
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷...
[会议论文] 作者：郝智彪,卢京辉,任在元,罗毅,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
该文在国产分子束外延设备的基础上，引进了一套RIBER的全固态源炉并尝试着进行了材料生长，获得了一些初步结果。利用三温区阀控裂解磷源炉生长子非故意掺杂的InP表面形貌良好，生......
[会议论文] 作者：罗毅,郝智彪,卢京辉,任在元,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：卢京辉,张立超,李延朋,贺东伟,
来源：中国数量经济学会2016年年会 年份：2016
股市跨界风险防范的核心在于厘清各类主要非证券类金融业务形式进入证券市场份的路径特征、主体动机以及市场影响。其中的重点是防止以操纵市场、过度投机为目的的杠杆资金改...
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