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[期刊论文] 作者：卢励吾,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
Co has already been shown to have promissing properties with respect to self-aligned silicide technology. In view of its importance, is is essential to understa...
[会议论文] 作者：卢励吾,周洁,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：何杰,卢励吾,
来源：真空科学与技术 年份：1995
在研究难熔金属氮化物／ｎ－ＧａＡｓ体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性温度提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／ｎ－ＧａＡｓ的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化......
[期刊论文] 作者：卢励吾,Mak,KK,
来源：半导体学报 年份：2001
应用光致发光（PL）电容--电压（C-V）、深能级瞬态谱（DLTS）和光电导（PC）技术系统研究A1掺杂ZnS1-xTex中与A1有关的类DX中心，实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅱ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性......
[期刊论文] 作者：卢励吾,杨国文,
来源：半导体学报 年份：1996
应用深能级瞬态谱技术研究分子束外延和二次液相延生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱激光器深中心行为。在ＭＢＥ激光器的ｎ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所周各的ＤＸ中心外，还观察到有较大俘获截面的深陷阱......
[期刊论文] 作者：卢励吾,G.Groeseneken,K.Maex,
来源：电子学报 年份：1991
利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成,这些能级的浓度较低,分布在2×10~(10)—1×1...
[会议论文] 作者：卢励吾,Weikum Ge,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：封松林,周洁,卢励吾,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）起晶格中的电子辐照缺陷，证明其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。......
[期刊论文] 作者：闫华,卢励吾,等,
来源：半导体学报 年份：2001
对作用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光（PL）、霍耳（Hall）及扫描电镜（SEM）测量。结果表明：适当的生长温度（750℃）提高了样品中In的含量和PL强度。当V/Ⅲ族比......
[期刊论文] 作者：卢励吾,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1990
对经不同方式处理的注锌硅样品(注入剂量1×10~(14)-1×10~(17)cm~(-2),注入能量170keV和180keV)的物理行为进行了研究。样品的CWCO_2激光退火和快速淬火处理是在特...
[期刊论文] 作者：卢励吾,张砚华,
来源：物理学报 年份：2004
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心...
[会议论文] 作者：张砚华,卢励吾,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
本文主要研究了分子束外延(MBE)生长的应变InGeAs/GaAs折射率梯度变化,异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应....
[期刊论文] 作者：卢励吾,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1984
利用深能级瞬态谱(DLTS)证实:经染料脉冲激光辐照,红宝石脉冲激光辐照,连续Nd:YAG激光辐照的P型硅样品,存在深中心缺陷,主要是:(E_v+0.14cV)、(Ev+ 0.19eV)和(Ev+ 0.24eV).从...
[期刊论文] 作者：卢励吾,张砚华,
来源：物理学报 年份：1998
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３，这表明一部分Ａｌ原子形成非辐射深中心．Ａｌ掺杂......
[期刊论文] 作者：卢励吾,周洁,武国英,
来源：电子学报 年份：1993
利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个,在p型硅里有三个深能级生成.这些能级的浓度在10~(13)—10~(14)cm~(-3)之...
[期刊论文] 作者：卢励吾,王占国,C.L.Yang,
来源：物理学报 年份：2004
分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火...
[期刊论文] 作者：卢励吾,张砚华,K.K.Mak,
来源：半导体学报 年份：2004
应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心...
[会议论文] 作者：石万全,侯清润,卢励吾,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：闫华,卢励吾,王占国,
来源：半导体学报 年份：2001
对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含...
[期刊论文] 作者：卢励吾,张砚华,J.Wang,WeikunGe,
来源：物理学报 年份：2002
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行...
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