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[期刊论文] 作者：卢武星,
来源：自然科学进展 年份：1995
提出了几种用于解决离子注入Ｓｉ中二次缺陷控制的有效新途径，阐明了这些过程的物理机制，并通过实例对这些新方法的重要应用价值做了简单讨论。...
[会议论文] 作者：卢武星,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：卢武星,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1994
１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或......
[期刊论文] 作者：田人和,卢武星,
来源：半导体学报 年份：1993
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/...
[期刊论文] 作者：卢武星,刘洁,J．R．Liefting,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1997
研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Ｓｉ中掺杂激活的新方法，ＭｅＶ高能Ｓｉ注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对Ｐ激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平。......
[期刊论文] 作者：卢武星 Schr.,RJ,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1994
１．０Ｍｅｖ＾２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程Ｒｐ和射程偏差△Ｒｐ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定，注量的变化范围为５×１０＾１３～７×１０＾１４ｃｍ＾－２，注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的。由实验所确定的投射程，射程偏差与......
[期刊论文] 作者：刘尚合, 卢武星,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1979
离子注入作为一种新技术和新兴的边缘学科,在半导体器件生产和大规模集成电路以及超大规模集成电路的研制中得到了普遍的应用。据报导,离子注入已经以五十多种不同的方...
[期刊论文] 作者：卢武星,吴瑜光,
来源：原子核物理评论 年份：1997
综述了近年来低能核物理所开展ＭｅＶ高能离子注入Ｓｉ的研究概况。研究工作包括深注入掩埋层物理特性分析，新型增强退火研究，二次缺陷的抑制与消除，离子束缺陷工程新原理、新方法的建立和......
[期刊论文] 作者：田人和,卢武星,张官南,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1982
一、引言激光退火是近几年发展起来的新技术.它不但能使离子注入时形成的无定型半导体表面层恢复为单晶,而且可使汽相淀积或溅射在单晶衬底上的非晶或多晶薄层转变为单...
[期刊论文] 作者：田人和,卢武星,顾永俶,高愈遵,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar~+对高能注P~+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar~+像后注Si~+一样能够减少高能注P~+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相...
[期刊论文] 作者：钱亚宏,卢武星,卢殿通,王忠烈,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文研究了1～3MeV高能硼离子注入n-型硅衬底后n-p-n埋层结构的形成,发现采用适当的退火条件可得到良好的埋层载流子浓度及分布;并可获得单晶及电学特性恢复得很好的表面层.对...
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,卢武星,张荟星,
来源：半导体学报 年份：1993
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2...
[期刊论文] 作者：姬成周,刘尚合,王忠烈,卢武星,孙寅官,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1980
注入离子的剖面分布和离子注入引起的晶格损伤的恢复,是离子注入半导体激光退火效应的两个主要方面。近几年来,利用沟道背散射、电子衍射和透射电子显微镜等方法研究了...
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,贺凯芬,卢武星,张荟星,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1992
考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10~(13)cm~(-2)s~(-1))来说,快速注入过程都将是...
[期刊论文] 作者：李国辉,张通和,来永春,卢武星,王红英,
来源：物理 年份：2004
本文主要研究了锌、氮离子注入 GaAs1-xPx提高发光效率的机理.从锌在GaAs1-xPx中的剖面看出,在p-n结附近锌的浓度比较低,结果降低了发光层中沉积的锌原子对光的吸收.在77K的...
[期刊论文] 作者：莫党,卢因诚,李旦晖,刘尚合,卢武星,
来源：半导体学报 年份：1980
我们用椭圆偏光法研究了As~+注入Si的损伤和退火效应.逐层测定结果表明,对150keV、10~(16)/cm~2的As~+注入,已形成非晶质层,折射率沿深度的分布图呈近似平台式.退火实验结果...
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,卢武星,林文廉,张通和,张荟星,,
来源：金属学报 年份：1993
根据非线性热传导方程,用有限差分方法计算金属中强束流离子注入的温升效应给出了温升和温度分布曲线,以及样品表面温度与离子能量、剂量率、靶座温度、样品厚度等的关系曲线...
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