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[期刊论文] 作者：叶如华,
来源：发光快报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：叶如华,
来源：发光与显示 年份：1980
1962年,Weimer对薄膜晶体管的研究工作取得了显著的进展。薄膜晶体管(以下简称为TFT)技术一时引起了很多半导体器件研究者的注意。然而,由于在稳定性、重复性方面尚存在问题...
[期刊论文] 作者：叶如华,孟立建,
来源：光电子技术 年份：1991
采用Ta_2O_5/SiO_2复合介质结构研究了ITO/复合介质/Al电容器和ZnS:Mn TFEL器件。用射频磁控溅射制备的复合介质膜,有效地解决了Ta_2O_5与ITO起反应以及Ta_2O_5薄膜的漫延性...
[期刊论文] 作者：叶如华,孟宪信,,
来源：光电子技术 年份：1991
交流粉末电致发光显示器具有制作工艺简单、电-光转换效率高以及色调柔和、美观等特点,已被广泛应用于平板型特种光源、模拟字母数字显示领域。由于效率高,一直被认为是大屏...
[期刊论文] 作者：叶如华,孟宪信,,
来源：发光快报 年份：1988
前言末交流电致发光(ACEL)器件大多数情况下用作灯或液晶显示器的背照明。通常,矩阵式粉末 ACEL 屏的应用场合很少,因为它有两个固有的问题:低亮度和低对比度。当屏的象元数...
[期刊论文] 作者：景玉梅,叶如华,等,
来源：液晶与显示 年份：2000
利用蒸发和溅射工艺，研究了CdSe-TFT的制作，特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究。实验中观察到CdSe掺In后，TFT的I－V特性明显得到改善，得到了性能稳定的TFT器件，利用半导体掺杂......
[期刊论文] 作者：景玉梅,李志明,李菊生,叶如华,,
来源：液晶与显示 年份：2004
对CdSe-TFT的制作工艺进行了探索,对TFT矩阵的关键材料--半导体层CdSe的性质进行了研究.利用zc-36型高阻仪研究了CdSe薄膜电阻率随蒸发速率的变化,用三探针法和Curve Tracet...
[期刊论文] 作者：景玉梅,叶如华,李志明,李菊生,
来源：液晶与显示 年份：2000
利用蒸发和溅射工艺 ,研究了 Cd Se- TFT的制作 ,特别对掺 In的 Cd Se- TFT的电性能进行了研究。实验中观察到 Cd Se掺 In后 ,TFT的 I - V特性明显得到改善 ,得到了性能稳定...
[期刊论文] 作者：叶如华,孟立建,高朋涛,邴秀华,王良君,孙玉琴,,
来源：光电子技术 年份：1991
采用Ta_2O_5/SiO_2复合介质结构研究了ITO/复合介质/Al电容器和ZnS:Mn TFEL器件。用射频磁控溅射制备的复合介质膜,有效地解决了Ta_2O_5与ITO起反应以及Ta_2O_5薄膜的漫延性...
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