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[学位论文] 作者：唐冬和,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
随着MOS器件尺寸的缩小,其过剩噪声日益增加,且过剩噪声主要成分逐渐从热噪声转变为散粒噪声。基于纳米MOSFET输运机制的改变以及热噪声和散粒噪声的物理起源,本文在纳米MOSF...
[期刊论文] 作者：唐冬和,杜磊,王婷岚,陈华,陈文豪,,
来源：物理学报 年份：2011
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声.本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代...
[期刊论文] 作者：陈华,杜磊,庄奕琪,陈文豪,唐冬和,李晨,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素，表明散粒噪声与输运过程密切相关，按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散......
[期刊论文] 作者：贾晓菲,杜磊,唐冬和,王婷岚,陈文豪,,
来源：物理学报 年份：2012
目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时,采取了完全不考虑其抑制,或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究.本文基于Navid模型推导了准弹道输运纳米MOSE...
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