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[会议论文] 作者：夏德谦,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：夏德谦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
国内外对半绝缘GaAs单晶的生长及质量研究开展了十分广泛的工作.南京固体器件研究所已研制成JW-0002大型高压单晶炉.生长出重2公斤,最大直径74毫米的GaAs单晶,经初测性能良好...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,
来源：半导体杂志 年份：1997
通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌......
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,
来源：半导体技术 年份：1997
研究了影响ＬＥＣ生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布，热对流，坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭子长度都有影响。......
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,
来源：半导体技术 年份：1994
报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。......
[期刊论文] 作者：夏德谦,陈宏毅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文介绍原位合成生长半绝缘GaAs单晶研究与杂质分析结果。Ga、As比的控制,坩埚材料,热处理等条件均对单晶质量产生影响。制得直径75mm、重2.2kg的半绝缘GaAs单晶。典型电参...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：半导体技术 年份：1997
研究了影响ＬＥＣ（液封直拉法）生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布、热对流、坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭长度都有影响The factors influencing......
[期刊论文] 作者：谢自力,陈宏毅,朱顺才,夏德谦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×1016cm-3时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×1015cm-...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,晶向的SI—G...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文介绍了在国产高压单晶炉中,采取PBN涂层掩蔽碳的措施,利用LEC生长法,生长含碳量低的优质SI-GaAs单晶的工艺和实验结果.结合国内外LEC法生长SI-GaAs单晶降低碳含量的研究...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：半导体技术 年份：1993
本文报道了LEC-SI-GaAs单晶生长研究及其结果.结合材料应用,生长了一种轻掺铬SI-GaAs单晶.用这种单晶作衬底,经汽相外延,离子注入及分子束外延后制作器件,都取得了满意的结果...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,
来源：半导体杂志 年份：1997
通过温度压力改变，使整个ＬＥＣＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩＧａＡｓ单晶。单晶表面离解少，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶生长过程中Ａｓ的挥发和生长环境压力......
[期刊论文] 作者：夏德谦,周瑾如,许友道,陈宏毅,
来源：稀有金属 年份：1984
本文主要叙述采用高压液封原位合成直拉法生长半绝缘GaAs单晶的合成原理、工艺概述和实验结果。以该材料为衬底,经汽相外延试制的10千兆赫低噪声场效应管,得到了夹断电压3.5...
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,朱顺才,陈小兵,
来源：半导体技术 年份：1994
报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。The results of the thermal stability......
[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,陈如意,姬成周,王策寰,夏德谦,朱红清,
来源：半导体学报 年份：1994
在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率，高迁率的ｎ型薄层，本文研究了Ｓｉ＾＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量，注入和退火条件的关系，结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接......
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