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[会议论文] 作者：吕粤希,韩玺,孙姚耀,蒋志,徐应强,王国伟,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：郭春妍,孙姚耀,徐应强,牛智川,蒋洞微,王国伟,汪韬,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：孙姚耀, 韩玺, 吕粤希, 郭春妍, 郝宏玥, 蒋志, 蒋洞微,,
来源：航空兵器 年份：2018
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[期刊论文] 作者：蒋志, 孙姚耀, 郭春妍, 吕粤希, 郝宏玥, 蒋洞微, 王国伟,
来源：null 年份：2019
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[会议论文] 作者：郭春妍,孙姚耀,王国伟,徐应强,蒋洞微,汪韬,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
宽光谱成像技术在遥感、矿产探测、生物医学等方面具有广泛的应用而备受关注.在分子束外延(MBE）生长的GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格材料吸收区上实现不同形状、不同尺寸的光陷阱微结构,有效增加了探测器的光吸收.探测器探测到中波红外光的同时,实现对可见光波段的......
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm 、腔长1.5 mm的激光单管器件......
[期刊论文] 作者：孙姚耀,韩玺,吕粤希,郭春妍,郝宏玥,蒋志,蒋洞微,王国伟,,
来源：航空兵器 年份：2018
InAs／GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料．其有效带隙可以覆盖40-400 meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性，还拥有出色的光学特...
Very long wavelength infrared focal plane arrays with 50% cutoff wavelength based on type-Ⅱ In As/Ga
[期刊论文] 作者：韩玺,向伟,郝宏玥,蒋洞微,孙姚耀,王国伟,徐应强,牛智川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
A very long wavelength infrared(VLWIR) focal plane array based on In As/Ga Sb type-Ⅱ super-lattices is demonstrated on a Ga Sb substrate. A hetero-structure ph...
[会议论文] 作者：韩玺,蒋洞微,王国伟,孙姚耀,蒋志,吕粤希,徐应强,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：蒋洞微,韩玺,郝宏玥,孙姚耀,蒋志,吕粤希,王国伟,徐应强,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：孙姚耀 韩玺 吕粤希 郭春妍 郝宏玥 蒋志 蒋洞微 王国伟 徐应强 牛智川,
来源：航空兵器 年份：2018
摘要： InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料， 其有效带隙可以覆盖40～400 meV。 该量子体系材料不仅具有良好的均匀性， 还拥有出色的光学特性， 其电子有效质量高、 光吸收系数大、 量子效率高， 已经成为第三代红外焦平面......
Performance of dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on InGaAsSb bulk mate
[期刊论文] 作者：孙姚耀,吕粤希,韩玺,郭春妍,蒋志,郝宏玥,蒋洞微,王国伟,徐应强,牛智川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
In this paper,we demonstrate bias-selectable dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on In_(0.24)Ga_(0.76)As_(0.21)Sb_(0.79)bulk materia...
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