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[学位论文] 作者：孙玉润,
来源：中国科学院大学 年份：2014
传统晶格匹配的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件受衬底晶格常数的限制，可选择的外延材料的范围有限，影响了器件光电性能的提高。晶格异变缓冲层技术能有效突破晶格常数对材料选择的限......
[学位论文] 作者：孙玉润,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2011
基于电子存储材料的辐射剂量测试系统具有灵敏度高、线性响应好、体积小、功耗低、能够实现在线重复测量，在空间辐射探测和医疗辐射监控等方面有广阔的应用前景。本文利用稀土......
[期刊论文] 作者：卫平强,陈朝阳,范艳伟,孙玉润,赵云,,
来源：半导体学报 年份：2010
Optically stimulated luminescence(OSL) is the luminescence emitted from a semiconductor during its exposure to light.The OSL intensity is a function of the tota...
[会议论文] 作者：何洋,孙玉润,李奎龙,曾徐路,董建荣,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)在不同偏角GaAs衬底上通过AlxGa1-x-yInyAs晶格异变缓冲层生长了InP外延层.并用高分辨X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM)以及光致...
[期刊论文] 作者：何洋,孙玉润,赵勇明,于淑珍,董建荣,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Compositionally undulating step-graded Al(Ga)In_xAs(x = 0.05–0.52) buffers with the following In P layer were grown by metal–organic chemical vapor deposition...
[期刊论文] 作者：于淑珍,宋焱,董建荣,孙玉润,赵勇明,何洋,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Low metal-graphene contact resistance is important in making high-performance graphene devices.In this work,we demonstrate a lower specific contact resistivity...
[会议论文] 作者：赵勇明,孙玉润,何洋,黄杰,于淑珍,董建荣,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
本文针对87Rb芯片原子钟对激励光源的要求，开展了高温工作的795 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的研究。采用压应变InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构作为VCSEL器件的有源区；利用k·p理论分析了不同组份的InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构的导/价带能级、自发辐射谱及增益谱，分......
[期刊论文] 作者：王飞,何承发,杨进,于飞,刘艳,赵云,孙玉润,周东,席善斌,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
调强放射治疗（IMRT）是最先进的放射治疗技术之一,因其复杂性和三维治疗计划系统的逆向计算的优化算法在某些方面还不够成熟,所以治疗前必须进行剂量验证以确保治疗剂量的准确性......
[期刊论文] 作者：王飞,何承发,杨进,于飞,刘艳,赵云,孙玉润,周东,席善斌,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
调强放射治疗(IMRT)是最先进的放射治疗技术之一,因其复杂性和三维治疗计划系统的逆向计算的优化算法在某些方面还不够成熟,所以治疗前必须进行剂量验证以确保治疗剂量的准确...
[会议论文] 作者：赵春雨,董建荣,赵勇明,孙玉润,李奎龙,于淑珍,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文介绍了通过MOCVD外延生长方法在半绝缘GaAs衬底上制备的GaAs激光光伏电池.通过干法刻蚀进行隔离,制成由六瓣单元组成的圆形电池结构,并通过引线将6个电池单元串联使...
[会议论文] 作者：李奎龙,孙玉润,赵勇明,于淑珍,赵春雨,董建荣,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高分辨X 射线衍射仪和透射电镜对过渡层进行了...
[会议论文] 作者：赵勇明,李奎龙,孙玉润,于淑珍,赵春雨,董建荣,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文研究利用MOCVD 在Ge 衬底上生长GaInP/InGaAs材料,通过优化Ge衬底预处理及GaInP成核层条件,得到了表面形貌良好的GaInP成核层.然后在此GaInP上生长了InGaAs缓冲层,原子力显微镜(AFM)测量显示InGaAs外延层的表面粗糙度Ra＜0.65nm.最后,利用二次离子质谱仪(SIMS......
[会议论文] 作者：于淑珍,董建荣,李奎龙,孙玉润,赵勇明,赵春雨,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角(001)GaAs衬底上以AlyGa1-x-yInxAs作缓冲层制备In0.27Ga0.73As(1.05eV)太阳电池材料.采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪和透射......
[期刊论文] 作者：曾徐路,于淑珍,李奎龙,孙玉润,赵勇明,赵春雨,董建荣,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2014
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0.21)作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒...
Control of symmetric properties of metamorphic In_(0.27)Ga_(0.73)As layers by substrate misorientati
[期刊论文] 作者：于淑珍,董建荣,孙玉润,李奎龙,曾徐路,赵勇明,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Asymmetry in dislocation density and strain relaxation has a significant impact on device performance since it leads to anisotropic electron transport in metamo...
[期刊论文] 作者：韩堰辉,孙玉润,王安成,施祥蕾,李彬,孙利杰,董建荣,
来源：半导体技术 年份：2023
研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池（LPC）性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明，三结GaAs LPC短路电流、开路电压和最大输出功率的衰减随电子辐照剂量的提高而增大。通过测量不同波长激光照射下三结GaAs LPC的宽电......
[期刊论文] 作者：戚永乐,张瑞英,张震,王岩岩,朱健,孙玉润,赵勇明,董建荣,王庶民,,
来源：半导体技术 年份：2015
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP...
[会议论文] 作者：孙玉润,李奎龙,王伟明,赵勇明,于淑珍,赵春雨,董建荣,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs 衬底上生长了电子浓度达6×1019cm-3 的重掺Te GaAs 外延薄膜,该样品的高分辨X 射线衍射(HR-XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明重掺Te 使GaAs 外延层的晶格膨胀并在表面产生突起。基于第一性原理,采......
[会议论文] 作者：戚永乐,张瑞英,张震,朱健,王岩岩,孙玉润,赵勇明,董建荣,王庶民,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出......
[会议论文] 作者：王飞,许发月,李明,何承发,杨进,于飞,刘艳,赵云,孙玉润,周东,席善斌,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2010
调强放射治疗(IMRT)是最先进的放射治疗技术之一，因其复杂性和三维治疗计划系统的逆向计算的优化算法在某些方面还不够成熟，所以治疗前必须进行剂量验证以确保治疗剂量的准确性。本文使用聚合物凝胶剂量计对调强放射治疗三维剂量的验证进行初步探索。用丙烯酰胺、......
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