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[学位论文] 作者：孙聂枫,,
来源： 年份：2004
InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫N型InP材料用于激光器、发光二极管、光放大器、光纤通信等光电领域。半绝缘(SI) InP主要用于微电子器件和光电...
[学位论文] 作者：孙聂枫,,
来源： 年份：2008
磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料;大直径InP单晶生长;与熔体配比相关的缺...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,陈旭东,
来源：半导体情报 年份：1999
原位磷注合成ＬＥＣ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的ＩｎＰ熔体，并进行ＬＥＣ晶体生长，我们对不同配比程度的材料进行了ＦＴ－ＩＲ、ＰＬ、变温Ｈａｌｌ等测试工作，得到了一些相当有意义的结果，对研究非......
[期刊论文] 作者：孙聂枫,陈旭东,
来源：半导体情报 年份：1998
回顾了磷化铟（ＩｎＰ）晶体材料的发展过程，介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性，展望了磷化铟材料在我国的发展前景。...
[会议论文] 作者：陈旭东;孙聂枫;,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体，利用液封直拉法（LEC）分别从不同化学计量比条件下的IsP熔体中生长InP单晶材料。对材料进行......
[会议论文] 作者：孙聂枫,陈旭东,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
随着应用领域的不断扩大，对材料的质量提出了越来越高的要求，为了提高利用效率和适应大规模集成电路的要求，对晶片的尺寸也提出了越来越大的要求，为此该课题组从“八五”末开始进......
[期刊论文] 作者：Nakam.,S,孙聂枫,
来源：半导体情报 年份：1996
制造出了发光强度为１２ｃｄ的超高亮度ＩｎＧａＮ单量子阱结构绿光发光二极管。这些ＩｎＧａＮＳＱＡＷ绿光ＬＥＤ的发光强度大约比常规的ＧａＰ绿光ＬＥＤ（０．１ｃｄ）高１００倍。......
[期刊论文] 作者：Shuji Nakamura,孙聂枫,,
来源：半导体情报 年份：1996
制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大约比常规的 GaP 绿光 LED(0.1cd)高100倍。在...
[期刊论文] 作者：毛卫东,孙聂枫,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：2000
在１０－３００Ｋ的温度范围内，测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱，用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明，ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷......
[期刊论文] 作者：孙聂枫,吴霞宛,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在未掺杂和掺Ｆｅ的ＬＥＣ－Ｉｎ中用ＦＴ－ＩＲ测试到ＶＩｎＨ４的存在。已经证实该缺陷在ＬＥＣ－ＩｎＰ中普遍存在。经研究表明在掺Ｆｅ的ＩｎＰ中的ＶＩｎＨ４浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高，尾部低。讨论了其对未掺杂ＩｎＰ的......
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用辉光放电质谱（GDMS）测量了原生液封直接（LEC）磷化铟（InP）的杂质含量。利用霍尔效应测到的非掺LEC－InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度。在非掺和掺铁InP中都可以用红外吸......
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,等,
来源：半导体学报 年份：2002
对液封直拉（LEC）非掺磷化铟（InP）进行930℃80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘（SI）衬底。退火是在密封的石英管内纯磷（PP）或磷化铁（IP）两种气氛下进行的。测试结果表明IP-SI In......
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
...
[期刊论文] 作者：齐志华,李昌青,孙聂枫,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2007
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法（LEC）分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料。对材料分别进...
[期刊论文] 作者：梁仁和,金艳,周世增,孙聂枫,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
基于磷蒸气注入原位合成技术及液封直拉磷化铟(InP)单晶的原理,设计了CZ-50型InP单晶炉。介绍了该单晶炉的主体结构,特别是原位合成装置的结构。该装置不仅可以实现磷蒸气注...
[会议论文] 作者：孙聂枫,杨光耀,曹立新,吴霞宛,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试至VH的存在。已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VH浓度比在未掺杂中的高。而在 同一晶锭中其浓度分布是头...
[期刊论文] 作者：李玉茹,李晓岚,孙同年,孙聂枫,,
来源：半导体技术 年份：2015
在LEC-In P晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响In P单晶率的突出问题。生长高质量、大直径的单晶是当前In P晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是In P单晶生长技术的研究重点...
[会议论文] 作者：孙聂枫,杨光耀,吴霞宛,曹立新,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试至VH的存在。已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VH浓度比在未掺杂中的高。而在 同一晶锭中其浓度分布是头部高，尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响，及其对InP热稳定......
[期刊论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法...
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