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[期刊论文] 作者：孟江生,,
来源：警察技术 年份：2016
根据武汉市公安局多年使用公安PDT集群系统的经验,通过国家科技支撑计划的试点建设,对PDT未来的发展方向PDT+LTE的宽窄带融合网络的建设提出了具体的建议。...
[期刊论文] 作者：孟江生,
来源：电子器件 年份：1988
借助于计算机辅助设计技术,我们设计并研制出了一种高灵敏度的CMOS磁敏集成传感器,该传感器利用集成电路的制做技术,将结构新颖的磁敏电路与运放电路集成在一个芯片上,使之具...
[期刊论文] 作者：戴建国,孟江生,
来源：电子器件 年份：1995
我们在高新技术产品试制过程中，对表面组装与芯片键合的混合工艺作了一些探索，本文重点就有关工艺流程安排，以及在裸芯片组装中的所遇到的一些具体问题，简单地作一讨论。...
[期刊论文] 作者：孟江生,周东海,
来源：电子器件 年份：1989
本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(...
[期刊论文] 作者：孟江生,魏同立,
来源：低温与超导 年份：1990
本文研究了 NMOS 器件低温热载流子效应;在直流和交流应力下,测量和分析了低温(77K)下热载流子注入对 NMOS 器件性能的影响,并与室温下进行了比较。测试结果表明:热载流子注...
[期刊论文] 作者：孟江生,魏同立,
来源：电子器件 年份：1989
本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(...
[期刊论文] 作者：魏同立,孟江生,
来源：电子器件 年份：1988
一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学...
[期刊论文] 作者：魏同立,孟江生,
来源：电子器件 年份：1990
自从临界温度Tc超过液氮温度77K的高温超导材料和薄膜的研制成功,高温超导薄膜用于微电子学的研究受到了国际的关注.同时,近十年来,由于微电子器件和电路工作于液氮温度有着...
[期刊论文] 作者：张佐兰,孟江生,等,
来源：半导体光电 年份：1990
本文将介绍几种半导体光电探测器的研制工艺,器件特性及其应用举例....
[期刊论文] 作者：郑茳,魏同立,冯耀兰,孟江生,
来源：低温与超导 年份：1989
本文讨论了MOS器件表面迁移率的低温特性，研究了MOS器件电参数的低温特性，在此基础上提出了低温MOS器件的设计考虑。...
[期刊论文] 作者：陈卫东,郑茳,孟江生,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
近年来,随着超导体研究的日益深入,低温微电子器件、电路和系统的研究在国际上得到了广泛重视和迅速发展.本文报道了我们最近研制的双极型硅晶体管在77K下直流电流放大系...
[期刊论文] 作者：郊茳,陈卫东,魏同立,孟江生,,
来源：东南大学学报 年份：1991
分析了双极晶体管电流增益随温度下降而下降的机理,提出了低温下H_(FE)与发射区杂质浓度N_E的新关系,由此阐述了77K双极晶体管H_(FF)参数的设计原理,理论分析和实验结果相一...
[期刊论文] 作者：戴建国,孟江生,陈健人,茅洁,李红,
来源：电子器件 年份：1995
我们在高新技术产品试制过程中，对表面组装（ＳＭＴ）与芯片键合（Ｂｏｎｄｉｎｇ）的混合工艺作了一些探索——本文重点就有关工艺流程安排，以及在裸芯片组装中的所遇到的一些具体问题，简单地作一讨论。We......
[期刊论文] 作者：郑茳,林慈,孟江生,魏同立,韦钰,
来源：电子科学学刊 年份：1990
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调...
[期刊论文] 作者：郑茳,黄勤,陈卫东,孟江生,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The intrinsic carrier concentration ni0 in the undoped and the lightly doped silicon has been studied from 77 to 300K[1]. Considering that there exists the ban...
[期刊论文] 作者：郑茳,娄朝刚,魏同立,孟江生,陈卫东,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文研究了低温下半导体浅能级杂质的陷阱行为,计算结果表明:当补偿杂质浓度较高时,浅能级杂质将有明显的陷阱作用,并在10~(17)cm~(-3)时达到最大.在此基础上,本文讨论了浅能...
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