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[期刊论文] 作者：孟祥提,
来源：人工晶体学报 年份：2000
氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方...
[期刊论文] 作者：孟祥提,
来源：稀有金属 年份：1994
用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０＾１７ｃｍ＾－２的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为......
Characteristics of Positron Trapping at Defects in Neutron－irradiated Silicon Grown in Argon Atmosph
[期刊论文] 作者：孟祥提,
来源：RARE METALS 年份：1994
ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｓｉｔｒｏｎＴｒａｐｐｉｎｇａｔＤｅｆｅｃｔｓｉｎＮｅｕｔｒｏｎ－ｉｒｒａｄｉａｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎＧｒｏｗｎｉｎＡｒｇｏｎＡｔｍｏｓｐｈｅｒｅＭｅｎｇＸｉａｎｇｔｉ（孟祥提）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＮｕｃｌｅａ.........
[期刊论文] 作者：孟祥提,
来源：核技术 年份：1994
用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消......
[期刊论文] 作者：孟祥提,
来源：电子学报 年份：1986
本文用Hall效应、电阻率和红外吸收测量研究了热处理NTD CZ Si中的热施主TD和新施主ND的形成和退火行为。中子辐照使表观TD浓度显著下降,而促使ND的形成。在NTD CZ Si中,氧因...
[会议论文] 作者：孟祥提,秦国刚,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：孟祥提,阮竹,
来源：红外研究(A辑) 年份：1985
本文报道NTD CZ Si从室温到1200℃退火的红外吸收光谱,研究了600～1300cm~(-1)波数区的一些中子辐照缺陷和氧与碳的红外吸收峰的退火行为和本质,以及中子辐照缺陷与间隙氧随退...
[会议论文] 作者：孟祥提,康爱国,
来源：中国核学会2001学术年会 年份：2001
本工作研究了黑白CMOS数字图像传感器(640x480)在γ射线辐照前后的输出图像质量.在140Krad(Si)剂量辐照后,捕获的图像开始变得模糊,表明器件性能明显退化;在180Krad(Si)剂量...
[会议论文] 作者：孟祥提,刘学济,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：孟祥提,康爱国,黄强,
来源：半导体学报 年份：2007
对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动...
[期刊论文] 作者：孟祥提,康爱国,黄强,
来源：原子能科学技术 年份：2004
研究了数字型彩色CMOS图像传感器的γ射线辐照效应.采用不同γ射线注量进行积累辐照和单次辐照.积累辐照后捕获的图像在1.2 kGy时变得非常差,而单次辐照后图像在1.8 kGy时才...
[期刊论文] 作者：杜永昌,张玉峰,孟祥提,
来源：半导体学报 年份：1985
在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H_7(0.23 eV)为两个与氢有关的缺陷,它们可能...
[期刊论文] 作者：史新立, 胡堃, 孟祥提,,
来源：中国组织工程研究与临床康复 年份：2011
背景:关节软骨损伤后几乎不能完全修复,在生理负荷下容易发生退行性改变,最终发展成骨性关节炎。利用细胞生长因子构建组织工程化软骨,修复重建受损关节软骨,为骨关节软骨疾...
[期刊论文] 作者：孟祥提,张秉忠,徐小琳,
来源：稀有金属 年份：1984
本文给出了不同原始材料状况、不同中子辐照剂量对FZ(H_2)硅中氢施主产生的影响和经长时放置的中子掺杂FZ(H_2)硅的退火行为,提出了氢施主与缺陷直接相关的新证据;氢施主与中...
[期刊论文] 作者：孟祥提，康爱国，黄强，MengXiangti，KangAiguo，HuangQiang,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：孟祥提,张秉忠,杜永昌,张玉峰,
来源：半导体技术 年份：1984
本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退火的影响,并作了讨论.In this paper, the...
[期刊论文] 作者：杜永昌,张玉峰,孟祥提,沈宏扬,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1986
用Fourier变换红外吸收光谱(FT-IR)和深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了γ射线辐照与中子辐照硅,发现γ射线辐照单晶硅中双空位的产生率很低,可以用它帮助鉴别辐照点缺陷。γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心伸缩振动吸收带数目较中子辐照的为少,只产生了1832,2......
[期刊论文] 作者：徐稼迟,张德宏,孟祥提,徐小琳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中子嬗变掺杂(简称NTD)硅已经得到广泛应用.近来,GaAs等化合物半导体材料的中子嬗变掺杂亦有报导.Neut...
[期刊论文] 作者：吴书祥,晏懋洵,杜光庭,孟祥提,
来源：半导体学报 年份：1982
硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+β~-(T_(1/2)=2.6h).由于NTD工艺具有掺杂均...
[期刊论文] 作者：左开芬,张纯,孟祥提,苏庆善,陆余发,
来源：稀有金属 年份：1996
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态......
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