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[期刊论文] 作者：宁宝俊,蒋志,
来源：国际学术动态 年份：1993
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[会议论文] 作者：倪学文,宁宝俊,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：宁宝俊,张太平,等,
来源：半导体学报 年份：2002
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻（111）N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术，测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能。有源......
[期刊论文] 作者：宁宝俊,赵忠礼,等,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：1993
本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流－电压法和电容－电压法测量分析了TiSi2/n-Si......
[期刊论文] 作者：莫邦燹,倪学文,宁宝俊,
来源：微电子学 年份：2000
介绍了一种超高速 51 2 /2 56分频器电路的设计 ,其基本结构采用静态主从 D触发器。电路采用先进的单层多晶硅发射极双极工艺制造 ,使用 3μm设计规则 ,电路的最高工作频率达...
[会议论文] 作者：周建平,高玉芝,宁宝俊,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：宁宝俊,张太平,张录,田大宇,
来源：半导体学报 年份：2002
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻 (111) N型硅片上研制高性能 PIN光电二极管的工艺技术 ,测量并分析了光电二极管的 I- V、C- V和光灵敏度等...
[期刊论文] 作者：祝忠德,许虹,宁宝俊,李晓光,
来源：半导体学报 年份：1989
本文报道了钨硅化物-砷化镓Schottky接触的形成过程和电学特性.实验表明,WSi_x/GaAs Schottky接触具有优越的I-V特性,势垒高度保持在0.8V,理想性因子实际上保持在1,并具有高...
[期刊论文] 作者：祝忠德,陈贤,宁宝俊,盛世敏,
来源：半导体学报 年份：1984
本文给出一个1K×4 NMOS SRAM的设计.存贮单元采用离子注入掺杂的高阻多晶硅电阻器作负载,外围选用E/D型逻辑电路,采用5μ设计规则. 电路中有增强型、耗尽型、“零”开启三种...
[期刊论文] 作者：张利春,高玉芝,宁宝俊,周建平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子...
[期刊论文] 作者：莫邦燹,倪学文,宁宝俊,张利春,
来源：微电子学 年份：1999
总结了超高速集成电路设计中有关晶体管、电阻、互连线等方面的一些经验数据。讨论了电路中电阻、互连线的寄生参数的计算。提出设计超高速集成电路时，提高电路速度的一些有效......
[期刊论文] 作者：宁宝俊, 高玉芝, 赵忠礼, 张利春,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2004
本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi2/...
[会议论文] 作者：莫邦燹,倪学文,项斌,朱晖,宁宝俊,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文讨论了开关电容滤波器的基本原理.介绍了一种低通开关电容滤波器电路和编程调整开关电容滤波器极点频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本上一致.模...
[期刊论文] 作者：高玉芝,张利春,尹红坤,宁宝俊,
来源：半导体学报 年份：1996
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体......
[会议论文] 作者：王玮,张太平,宁宝俊,王兆江,张录,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
在制造PIN光电二极管的过程中,我们选用溅射Ti/ALsi,经湿法腐蚀后,测试芯片暗电流,发现在偏压比较高时暗电流增大,不符合要求.于是对比进行溅射ALsi,同样用湿法腐蚀后,测试芯...
[会议论文] 作者：张太平,张录,宁宝俊,田大雨,张洁天,
来源：中国空间科学学会空间探测专业委员会第十七次学术会议 年份：2004
半导体探测器有不同的材料和不同的结构,可以探测不同的粒子及辐射.硅基的PIN光电二极管的光谱特性是380-1100纳米.但是,靠近紫外的波段,硅光电二极管的灵敏度就比较差了.为了提高硅器件紫波段的量子效率,可以在探测器的表面加增透膜补偿紫波段的效率.使用增透......
[期刊论文] 作者：张锦文,张太平,王玮,宁宝俊,武国英,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓...
[会议论文] 作者：张慧,张利春,高玉芝,金海岩,宁宝俊,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600~800℃范围内经RTP退火的方法形成低电阻的Ni(Pt)Si薄膜,比NiSi薄膜的温度窗口提高了150℃.在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度...
[会议论文] 作者：倪学文,张录,罗葵,宁宝俊,孙玉秀,张维,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：张利春,高玉芝,宁宝俊,张录,王阳元,
来源：半导体学报 年份：2004
本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。In this paper, ion implantation is used to...
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