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[学位论文] 作者：宋教花,
来源：北京大学 年份：2004
该文分别研究了多壁碳纳米管(MWNTs)阵列与金属纳米线阵列的制备工艺,结构与场发射性能的关系,场发射稳定性,及场发射机理等.研究内容及所取得的重要结果包括:1)用高温热解酞...
[学位论文] 作者：宋教花,
来源：北京师范大学 年份：2001
该工作利用具有磁过滤装置的阴极弧等离子体源,通过反庆气相沉积,在Si和碳钢基底上制备NbN、TiN、HfN等过渡旋金属氮化物膜,考察了基底温度和脉冲偏压模式对膜层的影响.用XRD...
[期刊论文] 作者：宋教花,张涛,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：2000
利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术，在ｓｉ基体上进行动态离子束增强沉积ＮｂＮ，在低温下制成了ＮｂＮ薄膜，薄膜表面细密光滑，退火前其硬度＞１６．８ＭＮ·ｍｍ＾－２，退火后硬度＞１６．０ＭＮ·ｍｍ＾－２。......
[会议论文] 作者：宋教花,师玮,
来源：2014年中华全国专利代理人协会年会第五届知识产权论坛 年份：2014
对于涉及循环操作的方法权利要求,在步骤没有进入循环而顺序执行时,一些特征的表述或许没有问题,但是一旦进入了循环操作,可能就会存在不清楚的问题,这样的不清楚问题存在一...
[期刊论文] 作者：李永良,宋教花,张涛,
来源：真空科学与技术 年份：2002
利用磁过滤等离子体沉积技术在单晶Si和碳钢衬底上生长一层NbN沉积膜,用XPS,XRD和SEM对膜层进行测量和分析,结果表明,沉积膜为δ-NbN,沉积膜的质量与样品的衬底温度有关,衬底...
[期刊论文] 作者：翁波,宋教花,张耿民,张兆祥,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2004
研究了胶体石墨涂层的场发射特性。测得其相应于10μA/cm^2场发射电流密度的开启场强为5．4V/μm，相应于1mA/cm^2场发射电流密度的阈值场强为8．8V/μm。扫描电子显微镜观察表明场...
[期刊论文] 作者：宋教花,张涛,侯君达,邓志威,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2000
利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术 ,在Si基体上进行动态离子束增强沉积NbN ,在低温下制成了NbN薄膜 .薄膜表面细密光滑 ,退火前其硬度 >16 .8MN·mm- 2 ,退火后硬...
[期刊论文] 作者：朱民,张涛,宋教花,车俊铁,李国卿,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2005
钼和硫2种离子同步注入9Cr18不锈钢样品.用针盘摩擦磨损实验机测定了注入样品的耐磨性能,用俄歇电 子能谱仪(AES)测量注入样品成分深度分布,并检测了样品硬度.与钼或硫单独...
[期刊论文] 作者：宋教花,张涛,侯君达,邓志威,李永良,
来源：真空 年份：2001
利用磁过滤等离子体沉积装置 ,结合金属等离子体沉积技术 ,在 Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备 Nb N膜 ,对二者予以比较 ,并探讨了非增强沉积过程...
[期刊论文] 作者：宋教花,张耿民,张兆祥,孙明岩,薛增泉,
来源：物理学报 年份：2004
研究了Ar离子束轰击及温度对多壁碳纳米管阵列场发射性能的影响 .经Ar离子轰击 35min后 ,发现阵列顶端的Fe催化剂颗粒明显减少 ,弯曲的顶部被轰击掉 ,使碳纳米管的场发射电流...
[期刊论文] 作者：宋教花,张涛,侯君达,邓志威,李永良,马芙蓉,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2001
利用有磁过滤器的等离子体沉积装置，在不同温度的Si基底上沉积氮化铌(NbN)薄膜，通过XRD，XPS，SEM等分析，研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系.发现沉积温度对择优取向有......
[期刊论文] 作者：张涛,宋教花,张荟星,张孝吉,汤宝寅,朱剑,Monteiro,
来源：微细加工技术 年份：2001
金属等离子体浸没注入(MEPIII)技术与金属蒸气真空弧(MEVVA)源注入技术有相同之处，也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅，RBS方法分析注入层，并对两种注入技术予以...
[期刊论文] 作者：张涛,宋教花,张荟星,张孝吉,汤宝寅,朱剑,Monteiro,
来源：微细加工技术 年份：2001
金属等离子体浸没注入(MEPIII)技术与金属蒸气真空弧(MEVVA)源注入技术有相同之处，也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅，RBS方法分析注入层，并对两种注入技术予以...
[期刊论文] 作者：张琦锋,于洁,宋教花,张耿民,张兆祥,薛增泉,吴锦雷,
来源：物理化学学报 年份：2004
运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4～5 μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射...
[期刊论文] 作者：薛增泉,张琦锋,宋教花,郭等柱,梁学磊,申志勇,陈清,高崧,,
来源：半导体学报 年份：2003
在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要......
[期刊论文] 作者：薛增泉,张琦锋,宋教花,郭等柱,梁学磊,申志勇,陈清,高崧,,
来源：半导体学报 年份：2004
在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的...
[期刊论文] 作者：张涛,宋教花,张荟星,张孝吉,汤宝寅,朱剑豪,Monteiro O R,Brown I G,
来源：微细加工技术 年份：2001
金属等离子体浸没注入 (MEPIII)技术与金属蒸气真空弧 (MEVVA)源注入技术有相同之处 ,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅 ,RBS方法分析注入层 ,并对两种注入...
[期刊论文] 作者：薛增泉,奚中和,邢英杰,张耿民,宋教花,申自勇,侯士敏,高崧,赵兴钰,张琦锋,刘惟敏,吴锦雷,
来源：真空 年份：2004
讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性 ,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构 ,重点分析了电学、光学、光电特性 ,如新型纳米线复合光电池 ,氧化锌 (Zn O)纳米棒阵列的...
[期刊论文] 作者：薛增泉,王晶云,彭练矛,张耿民,宋教花,申自勇,侯士敏,高崧,赵兴钰,张琦锋,陈清,吴锦雷,
来源：2004全国真空冶金与表面工程学术研讨会 年份：2004
纳米材料复合涂层的结构和特性是纳米科技中的重要研究课题,本文重点讨论了制造技术的新观念,纳米材料的完美定律,涂层材料的发展前景,纳米场发射特性等.进而,讨论重要的物理理论研究的热点-电子强关联体系和软凝聚态问题.展现了涂层材料科学与技术的深刻理论内......
[会议论文] 作者：薛增泉[1]张琦锋[1]宋教花[1]郭等柱[1]梁学磊[2]申志勇[1]陈清[1]高崧[1]张耿民[1]赵兴钰[1]刘惟敏[1]彭练矛[1]吴锦雷[1]吴全德[1],
来源：第二届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2002
在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的...
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