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[学位论文] 作者：宿星亮,,
来源： 年份：2013
声子晶体和高温超导材料是两类具有代表性的层状先进材料。这两种材料在实际应用中均存在众多基础理论问题亟待解决。其中,声子晶体材料的禁带效应使其在材料隔振降噪领域有...
[期刊论文] 作者：宿星亮,,
来源：五台山 年份：2017
1965年9月,我考入忻县师范,学校就坐落在忻县城内的秀容书院.当我怀着兴奋、激动的心情第一次迈进校园时,首先映入眼帘的是青砖碧瓦、高大雄奇的大门,迎面是一面镶着大镜子的...
[期刊论文] 作者：宿星亮,
来源：黑龙江科技信息 年份：2019
本文通过对荣华二采区10...
[期刊论文] 作者：宿星亮,
来源：五台山 年份：2020
1948年10月,我出生在忻县西北山区的一个小村庄田家堰村,当时全县刚解放,才从战乱逐步过渡到和平年代,国家正处于一穷二白、百废待兴的时期,尤其是在国家遭受三年自然灾害的...
[期刊论文] 作者：宿星亮,,
来源：五台山 年份：2016
1965年9月我到忻县师范学校上学,1968年12月毕业参加工作,2008年退休回家。每当我回想起四十多年前在忻师上学的那些美好时光,总能想起我老师——书法家李孝慈先生。李老师是...
[会议论文] 作者：宿星亮, 高原文,,
来源： 年份：2004
声子晶体是具有弹性波禁带的周期性结构功能材料,在减振、降噪、声学器件等方面有着潜在的广泛应用前景。自1993年M.S.Kushwsha等人提出声子晶体概念以来,许多研究在这一...
[期刊论文] 作者：宿星亮,高原文,
来源：功能材料 年份：2010
应用平面波展开法研究了由功能梯度材料周期复合而成的一维声子晶体中存在的弹性波带隙特征,并得到第一阶带隙归一化起始频率、截止频率和宽度随功能梯度材料表面材料常数、...
[期刊论文] 作者：宿星亮,高原文,
来源：固体力学学报 年份：2004
将功能梯度材料引入声子晶体之中,构成由均匀材料和功能梯度材料交替复合而成的材料常数宏观上呈连续变化的一维声子晶体结构.应用平面波展开法研究了该结构中存在的弹性波带...
[期刊论文] 作者：宿星亮,樊磊磊,,
来源：山西大学学报（自然科学版） 年份：2019
文章主要研究了InAs量子点样品在不同测试温度、激发功率和应变条件下的光致发光(PL)光谱的变化,发现随着测试温度的升高,样品对应的谱线发生红移且光谱强度降低.随着激发功...
[期刊论文] 作者：宿星亮,张耕,
来源：山西大学学报（自然科学版） 年份：2021
在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对.结果 表明:形变...
[期刊论文] 作者：庞博, 宿星亮,
来源：当代化工研究 年份：2023
氮化镓（GaN）凭借着优越的光学和电学性能使其成为新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件，在光电子、微电子以及声电子领域中具有举足轻重的地位和广泛的应用前景。为了获得高品质GaN，对其生长条件的优化从未停止。本文综述了氮气（N2）和氢气（H2）作为载气在利用MOCVD外......
[期刊论文] 作者：刘磊, 宿星亮, 王申,,
来源：山西大学学报(自然科学版) 年份：2004
氢气气氛下MOCVD异质外延是目前工业界广泛使用的外延生长GaN基半导体的方法。研究表明,在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对外延薄膜的质量有着重要的影响。但从安全和...
[期刊论文] 作者：宿星亮，高原文，SUXing-liang，GAOYuan-w,
来源：城市道桥与防洪 年份：2010
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：宿星亮;高原文;周又和;,
来源：第十三届全国实验力学学术会议 年份：2012
铁电材料由于其优异的物理、力学性能,在现代智能材料和结构领域中得到了广泛的应用,其中层状复合材料应用最为广泛。学界对铁电层状复合材料在力-热-电多场耦合条件下的...
[期刊论文] 作者：刘磊, 宿星亮, 王申,
来源：山西大学学报(自然科学版 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：宿星亮,李保春,李鹏,师玉军,马杰,
来源：大学物理 年份：2019
中国大学生物理学术竞赛(China undergraduate physics tournament,简称CUPT)是中国借鉴国际青年物理学家锦标赛(International young physicists’ tournament,简称IYPT)模...
[期刊论文] 作者：袁野,柴小力,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,李森森,张宇,徐应强,宿星亮,牛智川,
来源：中国激光 年份：2020
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75 μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上......
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