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[学位论文] 作者：尹以安,,
来源： 年份：2008
宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求,是近年来光电子材料领域研究的...
[期刊论文] 作者：尹以安,刘宝林,,
来源：光电子.激光 年份：2007
利用低压MOCVD系统，获得了p-GaN和p-InGaN／GaN超晶格结构2种材料，用圆形传输线模型（CTLM）测量了它们的比接触电阻率，并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化，得到......
[期刊论文] 作者：苏军,李述体,尹以安,曹健兴,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2010
利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇（IPA）及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si（001）平面衬底上刻蚀出侧面为（111）面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬......
[期刊论文] 作者：尹以安,王维韵,王后锦,毛明华,,
来源：半导体技术 年份：2013
采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO...
[期刊论文] 作者：尹以安,王维韵,王后锦,毛明华,,
来源：半导体技术 年份：2012
采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层。研究了该LED结构中,不同的芯粒尺寸对ITO电流扩展的影响。结果表明,在电...
[期刊论文] 作者：尹以安,章勇,范广涵,李述体,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变，实验生长了相应的样品，并通过双晶衍射（XRD）和拉曼（Raman）光谱实验证实其具有......
[会议论文] 作者：李述体,范广涵,章勇,尹以安,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：郑清洪,尹以安,黄瑾,刘宝林,,
来源：半导体光电 年份：2009
提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三...
[会议论文] 作者：尹以安,范广函,李述体,章勇,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
P型掺杂一直是Ⅲ氮化物系列光电子器件关键技术,基于AlInN材料的光电子器件也是如此。目前虽已有几个课题组开展了相关的研究。但获得P型空穴浓度无法满足制备紫外,深紫外光电子器件的条件。而近来提出一种新的方法：极化掺杂方法,它可以在免掺杂剂前提下获得高的......
[期刊论文] 作者：毛明华,尹以安,刘宝林,张保平,,
来源：半导体技术 年份：2007
针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管...
[会议论文] 作者：张康,李述体,卢太平,尹以安,郑树文,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究，通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究，发现GaN的晶体质量对AIN缓冲甚的晶体质量有明显的依赖关系。GaN晶体质量随AIN缓冲层晶体质量改善面改善。通过优化生长条件，生长出了(002)晶面半蜂宽为477弧秒的GaN薄膜。......
[期刊论文] 作者：尹以安,刘力,章勇,郑树文,段胜凯,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度，研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶...
[会议论文] 作者：吴巧玲,何洁冰,牛巧利,尹以安,章勇,
来源：第九届全国暨华人有机分子和聚合物发光学术会议暨第一届有机电子学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：尹以安, 毛明华, 张保平, 刘宝林, 李述体,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议论文集 年份：2010
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[会议论文] 作者：周永田,吴巧玲,林悦霞,严旻明,尹以安,章勇,
来源：2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 年份：2015
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[期刊论文] 作者：翁斌斌,秦丽菲,黄瑾,尹以安,刘宝林,张保平,,
来源：半导体光电 年份：2007
将氧化铟锡（ITO）生长于氮化镓基蓝色发光二极管的出光台面上（p型GaN台面），用非平面化处理的方法制作出ITO井状结构，研制出非平面化型氧化铟锡-氮化镓基蓝色发光二极管（LED），获得了高的......
Advantages of an InGaN-based light emitting diode with a p-InGaN/p-GaN superlattice hole accumulatio
[期刊论文] 作者：刘超,任志伟,陈鑫,赵璧君,王幸福,尹以安,李述体,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
P-InGaN/p-GaN superlattices (SLs) are developed for a hole accumulation layer (HAL) of a blue light emitting diode (LED). Free hole concentration as high as 2.6...
[会议论文] 作者：周永田,吴巧玲,林悦霞,严旻明,牛巧利,尹以安,章勇,
来源：第九届全国暨华人有机分子和聚合物发光学术会议暨第一届有机电子学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：曹健兴,李述体,范广涵,章勇,尹以安,郑树文,梅霆,苏军,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的G......
[期刊论文] 作者：卢太平,李述体,张康,刘超,肖国伟,周玉刚,郑树文,尹以安,忤乐娟,王海龙,杨孝东,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
InGaN based light-emitting diodes (LEDs) with dip-shaped quantum wells and conventional rectangular quantum wells are numerically investigated by using the APSY...
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