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[期刊论文] 作者：屈新萍,,
来源：世界科学 年份：2009
纳米压印（nanoimprint）这个词汇从1995年发明到现在，目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米，已经越来越走进我们的生活，随着纳米技术的大量应用，纳......
[学位论文] 作者：屈新萍,,
来源：重庆医科大学 年份：2020
目的:总结儿童抗NMDAR脑炎的相关癫痫急性期发作的临床特征及远期预后,并探讨影响癫痫发作预后的可能因素,为该病诊断和治疗提供依据。方法:回顾性分析2012年08月-2018年06月重庆医科大学儿童医院62例抗NMDAR脑炎患儿急慢性期癫痫发作的临床资料及随访结果。结......
[学位论文] 作者：屈新萍,
来源：复旦大学 年份：1999
该文研究在Si(100)衬底上外延生长CoSi薄膜异质固相外延新技术.通过Co/Ti/Si及Co/a-Si/Ti/Si等多层薄膜固相反应,研究了硅化钴/硅的异质固相外延过程及机制、动力学、结构及...
[期刊论文] 作者：屈新萍,,
来源：现代医药卫生 年份：2019
自身免疫性癫痫(AE )或免疫介导性癫痫是指由一系列自身抗体或免疫细胞(如 T 淋巴细胞等)所介导 ,以反复性癫痫发作为其主要且持续存在的临床特征的疾病[1 ] .AE与自身免疫性...
[会议论文] 作者：何伟,屈新萍,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新...
[期刊论文] 作者：屈新萍, 胡越,,
来源：现代医药卫生 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：屈新萍,W.Y.Cheung,等,
来源：半导体学报 年份：2003
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜，用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性，组分、晶体...
[期刊论文] 作者：屈新萍,C．Detavernier,等,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程。结果表明，加入Pd层后，退火形成Ni1－xPdxSi固熔体，该固熔体比NiSi的热稳定性好，使得NiSi向NiSi2的转变温度升高。加入Pd的量越多，N......
[期刊论文] 作者：王韬,屈新萍,
来源：无机材料学报 年份：2013
在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵（Tetramethyl Ammonium Hydroxide...
[期刊论文] 作者：徐蓓蕾,屈新萍,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄膜,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应....
[期刊论文] 作者：吴佳宏,屈新萍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O（MIZO）透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5...
[期刊论文] 作者：屈新萍,丁爱丽,
来源：无机材料学报 年份：1996
采用直流磁控溅射方法制备Ｐｔ／Ｔｉ电极，用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ方法研究了Ｐｔ和Ｔｉ的扩散行为，发现在氧气氛中进行热处理造成Ｔｉ层的快速氧化，Ｔｉ厚度对Ｐｔ／Ｔｉ的扩散有很大影响。Ｐｔ／Ｔｉ的扩散造成其上的铁我差的显微结构和性能。......
[期刊论文] 作者：屈新萍,李炳宗,
来源：半导体学报 年份：1998
本文研究Ｓｉ中间淀积层对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１００）固相异质外延的影响，用离子束溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构，通过快速热退使多层薄膜发生固相反应。实验表明，利用Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ固相反应得到的ＣｏＳｉ薄膜具有良好的外延......
[期刊论文] 作者：屈新萍,刘建海,
来源：半导体学报：英文版 年份：2000
为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Ｓｉ的新方法，并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径。实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方法对固相反应过程进行了研究，对反应形......
[期刊论文] 作者：茹国平,屈新萍,
来源：半导体学报 年份：2000
采用弹道电子发射显微术（ＢＥＥＭ）技术对超薄ＰｔＳｉ／Ｓｉ、ＣｏＳｉ２／Ｓｉ肖特基接触特性进行了研究，并与电流－电压（Ｉ－Ｖ）及电容－电压（Ｃ－Ｖ）测试结果进行了对比。......
[期刊论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了超薄（－１０ｎｍ）ＣｏＳｉ２／Ｓｉ的肖特基势垒接触特性。Ｃｏ（３－４ｎｍ）／Ｔｉ（１ｎｍ）双层金属通过快速热退火在Ｓｉ（１００）衬底上形成超薄ＣｏＳｉ２薄膜。Ｘ射线测试表明该薄膜具有较好的外延特性。用Ｉ－Ｖ、Ｃ－Ｖ方法在８２－３３２度范围测试了ＣｏＳｉ２／Ｓｉ的肖特基势垒特性。用弹道......
[期刊论文] 作者：屈新萍,李炳宗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
综述近年国内外在ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延生长领域的研究进展，在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物，从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用ＣｏＴｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应实现ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异......
[期刊论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使得NiSi向NiSi2的转变温度升高.加入Pd的量越...
[会议论文] 作者：屈新萍,朱剑豪,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文报道通过Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层薄膜固相反应在（１００）Ｓｉ上异质外延生长ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜。研究了该多层结构经不同温度退火的固相反应特性。在有ＣＭＯＳ电路的Ｓｉ片上淀积该结构，通过两步退火加选择腐蚀工艺，可形成自对......
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