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[学位论文] 作者：崔冶青,
来源： 年份：2014
在较低温度下实现气相外延沉积在制备pn结方面具有巨大的应用潜力，本文探索了采用射频等离子辅助化学气相沉积法（RF-PECVD）在基片温度200oC低温条件下进行掺杂硅薄膜的气相外延的可行性，并研究了快速热处理法（RTP）对外延薄膜进行热改性处理的工艺。以此为基础尝试了低......
[会议论文] 作者：高江,周浪,黄海宾,崔冶青,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文采用HMI 开发的AFORS-HET 软件模拟研究了AM1.5 条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emitter)结构对于HIT 太阳电池性能的改善.结果表明：D-emitter 结构的HIT 太阳电池的开路电压,短路电流及填充因子相比于单层发射极结......
[会议论文] 作者：崔冶青,高江,宁武涛,黄海宾,周浪,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
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[会议论文] 作者：黄海宾,崔冶青,高江,宁武涛,周浪,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
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[会议论文] 作者：龚洪勇;黄海宾;高江;崔冶青;宁武涛;周浪;,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
氢化非晶硅和氢化氧化非晶硅都可以作为非晶硅/晶体硅异质结电池中的优质钝化层材料.本文以国产PECVD设备在n型直拉单晶硅片上沉积本征非晶硅薄膜和本征氢化氧化非晶硅薄膜,...
[期刊论文] 作者：龚洪勇,周浪,黄海宾,向昱任,汪已琳,张东华,高江,崔冶青,
来源：太阳能 年份：2013
研究了优等化离子体化气相学沉积法（PECVD）在太阳能级n型直拉单晶（Cz）硅衬底上沉积i-a-Si：H薄膜工艺，得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片......
[会议论文] 作者：龚洪勇;周浪;黄海宾;向昱任;汪已琳;张东华;高江;崔冶青;,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文旨在优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n 型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i a-Si:H 薄膜工艺,得到更好的钝化效果.实验研究了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄...
[期刊论文] 作者：龚洪勇,周浪,黄海宾,向昱任,汪已琳,张东华,高江,崔冶青,,
来源：太阳能 年份：2013
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积...
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