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[会议论文] 作者：廖奇为,王春艳,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：廖奇为,林世鸣,胡国新,张春晖,康学军,陆建祖,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：杨斌,陈涌海,王占国,梁基本,廖奇为,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1995
本文采用三角阱近似，计算了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机......
[期刊论文] 作者：杨斌, 王占国, 陈涌海, 梁基本, 廖奇为, 林兰英, 朱战萍,
来源：半导体学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：康学军,林世鸣,廖奇为,高俊华,王红杰,朱家廉,张春晖,王启明,
来源：高技术通讯 年份：1997
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCS...
[期刊论文] 作者：康学军,林世鸣,高俊华,廖奇为,朱家廉,王红杰,张春晖,王启明,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边...
[期刊论文] 作者：刘文楷,林世鸣,武术,朱家廉,高俊华,渠波,陆建祖,廖奇为,邓晖,陈弘达,
来源：半导体学报 年份：2001
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同...
[期刊论文] 作者：康学军,林世鸣,廖奇为,高俊华,程澎,刘世安,王启明,杜国同,刘颖,李雪梅,
来源：半导体学报 年份：1999
The photonic AND gate based on the hybrid integration of GaAs Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) and Metal|Insulator|Semiconductor|Switch (MISS)...
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