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[期刊论文] 作者：张厥宗,
来源：洗净技术 年份：2003
硅片经过切片、倒角、双面研磨、抛光等不同的工序加工后,其表面已受到严重的沾污,硅片清洗目的就在于清除晶片表面所有的微粒、金属离子及有机物等沾污....
[期刊论文] 作者：张厥宗,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
3半导体硅片产业的发展现状3.1国外半导体硅片及φ300mm硅片市场概况硅抛光片是制造IC芯片的基础材料,全球主要的硅片生产供应商有日本信越、三菱与住友金属工业合并成的SUMC...
[期刊论文] 作者：张厥宗,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
1 半导体硅工业的发展随着社会的发展,直到20世纪时,世人才发现硅具有半导体的性质.这些性质包括其电阻率随着温度的增加而递减、光电效应、热电效应、磁电效应、霍尔效应及...
[期刊论文] 作者：朱悟新,张厥宗,孙燕,
来源：稀有金属 年份：1986
对p型硅衬底上的MOS结构用DLTS法测量了界面态密度的能量分布和俘获截面与能量的关系。 (100)方向P型硅衬底浓度约为2×10~(15)cm~(-3),氧化层厚度在110～160nm(1100～1600A)之间...
[期刊论文] 作者：朱悟新,奚建平,张厥宗,
来源：稀有金属 年份：1983
对两种衬底材料的 n~+/p/p~+结构的硅太阳电池进行了深能级瞬态谱(DLTS)测量。在二次直拉料衬底的电池中观察到一个空穴陷阱和两个电子陷阱;在半导体级衬底的电池中观察到三...
[期刊论文] 作者：钱思敏,王炳林,王培德,刘安东,黄耀先,张传汉,朱悟新,张厥宗,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1984
电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些空位...
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