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[学位论文] 作者：张际蕊,,
来源：中国石油大学(北京) 年份：2016
宽禁带半导体材料被称为“第三代半导体材料”,具有不小于2.3 eV的禁带宽度,较高的光学透明性和饱和电子漂移速率,以及小的介电常数等特点。与传统硅基光电探测器相比,宽禁带...
[期刊论文] 作者：赵嵩卿,张际蕊,杨睿,施宏杰,刘义,白兴,杨立敏,
来源：现代科学仪器 年份：2016
作为第三代半导体的典型代表之一，氧化锌在光电探测器领域也有广泛应用。处于禁带内的缺陷能级会给氧化锌的光学和电学性质带来变化。掺杂会使得缺陷能级发生进一步的变化，导致......
[期刊论文] 作者：赵嵩卿,张际蕊,施宏杰,闫坤坤,黄春,杨立敏,杨睿,赵昆,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The SnO_2/SnO with an orthorhombic structure is a material known to be stable at high pressures and temperatures and expected to have new optical and electrical...
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