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[期刊论文] 作者：周俊思,徐天冰,
来源：核技术 年份：1992
物理所2×1.7MV串列加速器已正常运行8年。主机稳定、束流传输较好,将自制潘宁离子源与原机上的860型溅射负离子源配合,已引出并使用的有H、He、Li、O、F、Ti等30多种元...
[会议论文] 作者：周必忠,徐天冰,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：徐天冰,周俊思,邱长青,朱沛然,
来源：核技术 年份：1993
研究制作了多种溅射负离子源靶,在2×1.7MV串列加速器上采用Middleton-Ⅶ型溅射负离子源引出了流强大、稳定的30多种元素的负离子束。探讨了靶的材料、形状和尺寸等因素...
[期刊论文] 作者：万亚,李岱青,朱沛然,徐天冰,
来源：烟台师范学院学报(自然科学版) 年份：1994
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率......
[期刊论文] 作者：周俊思,邱长青,徐天冰,杨国梁,
来源：核技术 年份：1992
介绍自制溅射型负离子源及其关键部件——电离器的材料、结构、制作及使用情况。得到碳束C~-总流强】780μA,硅束Si-250μA.此电离器先后在2×1.7MV串列加速器的进口溅射...
[期刊论文] 作者：李岱青,刘家瑞,徐天冰,张德龙,
来源：核技术 年份：1992
在40°和70°斜入射条件下,用100keV Ar~+、Ne~+轰击铜靶,Ar~+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布对于表面法线明显不对称...
[期刊论文] 作者：李岱青,刘家瑞,徐天冰,张德龙,
来源：核技术 年份：1992
在40°和70°斜入射条件下,用100keV Ar~+、Ne~+轰击铜靶,Ar~+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布对于表面法线明显不对称;而Ne~+...
[期刊论文] 作者：李岱青,宫宝安,万亚,刘家瑞,徐天冰,
来源：烟台师范学院学报：自然科学版 年份：1992
在100keV入射能量下.分别测量了Ne~-、Ar~+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar~+所产生的溅射原子角分...
[期刊论文] 作者：李岱青,宫宝安,任廷琦,万亚,徐天冰,
来源：青岛大学学报：自然科学版 年份：1994
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[期刊论文] 作者：李岱青，万亚，任廷琦，朱沛然，徐天冰,
来源：核技术 年份：1995
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关......
[期刊论文] 作者：李岱青,任廷琦,万亚,宫宝安,徐天冰,
来源：青岛大学学报(自然科学版) 年份：1994
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了３５０ｋｅｖＹｂ＋注入Ｓｉ（１００）所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表明，在８００℃－１０００℃的快速热退火温度下，在Ｙｂ＋射程范围以外的非晶层很容易固相外......
[期刊论文] 作者：李岱青,任廷琦,万亚,宫宝安,徐天冰,
来源：烟台师范学院学报(自然科学版) 年份：1994
用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近似从背散射谱上计算了射程深度和射程分布的......
[期刊论文] 作者：万亚,李岱青,章蓓,陈孔军,朱沛然,徐天冰,
来源：JOURNAL OF RARE EARTHS 年份：1995
ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＣｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎＩｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｏｆＥｒ－ｉｍｐｌａｎｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎＷａｎＹａ（万亚）；ＬｉＤａｉｑｉｎｇ（李岱青）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＹａｎｔａｉＴｅａｃｈｅｒｓ.........
[期刊论文] 作者：李岱青,任廷琦,宫宝安,万亚,朱沛然,徐天冰,
来源：烟台师范学院学报(自然科学版) 年份：1994
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤......
[期刊论文] 作者：万亚,李岱青,章蓓,陈孔军,徐天冰,朱沛然,
来源：中国稀土学报 年份：1995
研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在品体非晶界面们析，但当......
[期刊论文] 作者：李岱青,任廷琦,万亚,朱沛然,徐天冰,孙慧龄,
来源：科学通报 年份：1994
稀土元素不完全充满的4f电子壳层被它外部的5p和6s电子壳层有效地屏蔽.这一独特的电子结构使得稀土掺杂半导体材料中4f电子-声子耦合被减弱,因而稀土的发光具有锐利,热稳定性...
[期刊论文] 作者：朱沛然,江伟林,徐天冰,周俊思,任孟眉,瞿永亮,
来源：核技术 年份：1993
介绍了中国科学院物理研究所离子束研究室的主要设备、分析方法、离子注入材料改性研究以及近年来在半导体材料、高Tc超导材料、环保等领域中的研究工作。This paper intro...
[期刊论文] 作者：周俊思,徐天冰,朱沛然,邱长青,郑宗爽,江伟林,任孟眉,
来源：核技术 年份：1992
物理所2×1.7MV串列加速器已正常运行8年。主机稳定、束流传输较好,将自制潘宁离子源与原机上的860型溅射负离子源配合,已引出并使用的有H、He、Li、O、F、Ti等30多种元素的...
[期刊论文] 作者：章蓓,陈孔军,王舒民,虞丽生,郑婉华,徐俊英,徐天冰,朱沛然,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
分别在InP、GaAs和Si中以7×1014和1×1015cm-2的剂量进行Er离子注入,并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射...
[期刊论文] 作者：江伟林,王瑞兰,朱沛然,王长安,徐天冰,李宏成,翟永亮,任孟眉,周俊思,
来源：物理学报 年份：1994
利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间的距离及Ar/O_2比等参数变化的情况下,制备了...
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