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[期刊论文] 作者：齐鸣,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,德光永辅,,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂InxGa1-xAs（x=0-0.98）的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强...
[期刊论文] 作者：齐鸣,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,德光永辅,小长井诚,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度...
[期刊论文] 作者：齐鸣,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,鹿岛秀夫,德光永辅,小长井诚,
来源：半导体学报 年份：1993
本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10~(20)/cm~3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,...
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