搜索筛选:
搜索耗时3.8652秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 6 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍了集成电路制作过程中,采用光刻胶回流技术,提高抗蚀能力和图形边缘整齐度,以获得硅片上的光刻图形与掩模版图形几何尺寸一致性很好的效果,达到电路参数一致性好和提...
[期刊论文] 作者：R.M.Patrikar,敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了二氧化硅介质击穿场加速因子的计算方法。根据氧化层总电荷量不变(对用相同工艺步骤制造的MOS电容而言)的观察结果,并假定I-V曲线在击穿前由Fowler Nordheim沟道所...
[期刊论文] 作者：Patr.,RM,敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了二氧化硅介质击穿场加速因子的计算方法。根据氧化层总电荷量不变(对用相同工艺步骤制造的MOS电容而言)的观察结果,并假定I-V曲线在击穿前由Fowler Nordheim沟道所...
[期刊论文] 作者：Huang,WM,敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了一种单层多晶硅作基极和发射极接触的新型、高性能硅双极晶体管的实验结果,我们把这种结构叫做STRIPE(自对准开槽隔离多晶硅电极)。已提供的发射极/基极多晶硅接触...
[期刊论文] 作者：W、M.HUANG,敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了一种单层多晶硅作基极和发射极接触的新型、高性能硅双极晶体管的实验结果,我们把这种结构叫做STRIPE(自对准开槽隔离多晶硅电极)。已提供的发射极/基极多晶硅接触...
[期刊论文] 作者：舒辉然,敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了一种CMOS自稳零电压比较器的设计。该比较器具有高精度,高灵敏度和较快的速度,其工艺条件及参数与数字电路兼容。文章通过电路设计特点说明其工作原理。对其中的差...
相关搜索：
