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[会议论文] 作者:方仁昌,
来源:第六届全国核靶技术交流会 年份:1998
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[期刊论文] 作者:方仁昌,向伟,
来源:原子能科学技术 年份:1999
由半球-平板组成的真空间隙,在单次脉冲高压作用下,用数字化信号分析仪DSA602A捕获并理论分析了放电电流波形,计算出一定尺寸真空间隙的半球面阴极顶部轴向电场。用优选的离子束辅助沉积......
[期刊论文] 作者:方仁昌,罗四维,
来源:原子能科学技术 年份:2001
利用由一定结构的球面(阴极)-平板(阳极)组成的真空间隙,模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积(IBAD)法,在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2薄膜。实验证......
[期刊论文] 作者:方昕,方仁昌,
来源:微纳电子技术 年份:2003
简述了IBAD(离子束辅助沉积)法制备纳米钛膜的过程中,关键工艺因素是如何将衬底温度维持在一个适当的范围,并运用PID(比例积分微分)调节器较好地实现这一要求的....
[会议论文] 作者:方仁昌,罗四维,
来源:中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会 年份:1999
一定结构的半球(阴极)-平板(阳极)组成的真空间隙,来模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用IBAO(高子束辅助沉积)法,在阴极半球面上沉积出结合程度很高的晶化TiB〈,2〉薄膜。实验证明:相比......
[期刊论文] 作者:向伟,方仁昌,李文治,
来源:兵器材料科学与工程 年份:1999
采用双离子束辅助沉积技术制备了TiN 薄膜,并用XPS、XRD、SEM、TEM 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试,结果表明,在溅射沉积的同时,N+ 离子的轰击使TiN薄膜主要沿(200)取向择优生长;离子的轰击也使TiN 薄......
[期刊论文] 作者:方仁昌,樊子荣,谢平,
来源:原子能科学技术 年份:2002
介绍了用离子束辅助沉积法制备纳米微晶钛的活性特点。纳米钛膜在较宽范围温度处理后,用X射线衍射线宽法(谢氏公式)测定出Ti及TiHx晶粒尺寸长大有限。β-Ti纳米微晶氢化后转变成T......
[会议论文] 作者:向伟,戴晶怡,方仁昌,
来源:全国薄膜学术讨论会 年份:1999
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[期刊论文] 作者:向伟,赖祖武,罗四维,方仁昌,李文治,
来源:真空科学与技术 年份:1998
利用多功能离子束增强沉积设备,采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜,并对制备的TiN薄膜进行了AES,XPS,XRD,RBS和TEM等分析。结果表明:所制备的薄膜都有很好均匀性,TiN薄膜处在压应力状......
[期刊论文] 作者:向伟,戴晶怡,方仁昌,赵国庆,周筑颖,
来源:原子能科学技术 年份:2000
利用质子增强背散射 (EPBS)和X射线衍射 (XRD)等方法 ,对氘在 β相的Ti 3 2Mo 5Nb合金中的深度分布及Ti 3 2Mo 5Nb合金吸氘前后的相结构等进行了分析研究。结果表明 :该...
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