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[会议论文] 作者：方仁昌,
来源：第六届全国核靶技术交流会 年份：1998
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[期刊论文] 作者：方仁昌,向伟,
来源：原子能科学技术 年份：1999
由半球－平板组成的真空间隙，在单次脉冲高压作用下，用数字化信号分析仪ＤＳＡ６０２Ａ捕获并理论分析了放电电流波形，计算出一定尺寸真空间隙的半球面阴极顶部轴向电场。用优选的离子束辅助沉积......
[期刊论文] 作者：方仁昌,罗四维,
来源：原子能科学技术 年份：2001
利用由一定结构的球面（阴极）-平板（阳极）组成的真空间隙，模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积（IBAD）法，在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2薄膜。实验证......
[期刊论文] 作者：方昕,方仁昌,
来源：微纳电子技术 年份：2003
简述了IBAD(离子束辅助沉积)法制备纳米钛膜的过程中,关键工艺因素是如何将衬底温度维持在一个适当的范围,并运用PID(比例积分微分)调节器较好地实现这一要求的....
[会议论文] 作者：方仁昌,罗四维,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会 年份：1999
一定结构的半球（阴极）－平板（阳极）组成的真空间隙，来模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用ＩＢＡＯ（高子束辅助沉积）法，在阴极半球面上沉积出结合程度很高的晶化ＴｉＢ〈，２〉薄膜。实验证明：相比......
[期刊论文] 作者：向伟,方仁昌,李文治,
来源：兵器材料科学与工程 年份：1999
采用双离子束辅助沉积技术制备了ＴｉＮ 薄膜，并用ＸＰＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试，结果表明，在溅射沉积的同时，Ｎ＋ 离子的轰击使ＴｉＮ薄膜主要沿（２００）取向择优生长；离子的轰击也使ＴｉＮ 薄......
[期刊论文] 作者：方仁昌,樊子荣,谢平,
来源：原子能科学技术 年份：2002
介绍了用离子束辅助沉积法制备纳米微晶钛的活性特点。纳米钛膜在较宽范围温度处理后，用X射线衍射线宽法（谢氏公式）测定出Ti及TiHx晶粒尺寸长大有限。β－Ti纳米微晶氢化后转变成T......
[会议论文] 作者：向伟,戴晶怡,方仁昌,
来源：全国薄膜学术讨论会 年份：1999
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[期刊论文] 作者：向伟,赖祖武,罗四维,方仁昌,李文治,
来源：真空科学与技术 年份：1998
利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状......
[期刊论文] 作者：向伟,戴晶怡,方仁昌,赵国庆,周筑颖,
来源：原子能科学技术 年份：2000
利用质子增强背散射 (EPBS)和X射线衍射 (XRD)等方法 ,对氘在 β相的Ti 3 2Mo 5Nb合金中的深度分布及Ti 3 2Mo 5Nb合金吸氘前后的相结构等进行了分析研究。结果表明 :该...
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