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[期刊论文] 作者：方文卿,,
来源：今日浙江 年份：2014
下午4时,绍兴市上虞区崧厦镇祝温村党总支书记杭兰英的办公桌上,一碗早已泡“糊”的方便面微张着盖子,还没拆开的调料袋搭在盖子的边缘,摸上去还有一丝余温。这原本是杭兰英...
[期刊论文] 作者：杨超普,方文卿,,
来源：商洛学院学报 年份：2015
利用自主搭建的可径向移动的940 nm单波长红外辐射测温仪,研究了Thomas Swan CCS MOCVD第二次Bake过程中,反应室在不同气氛（氢气、氮气以及氢氮混合气体）和不同压强（13.33-53.33...
[期刊论文] 作者：杨超普,方文卿,,
来源：商洛学院学报 年份：2015
利用自主搭建的可径向移动的940 nm单波长红外辐射测温仪，研究了Thomas Swan CCS MOCVD第二次Bake过程中，反应室在不同气氛（氢气、氮气以及氢氮混合气体）和不同压强（13.33-53.33 k...
[会议论文] 作者：Zhou Xinglong,周行龙,Fang Wenqing,方文卿,
来源：第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 年份：2012
由于现有传统荧光粉点胶法的局限性,为了能够更好地控制荧光粉涂敷工艺,减少生产批次之间的色度参数差异,本文研究了用于白光LED封装的荧光粉薄片制作工艺。此方法是将荧光粉涂覆在玻璃圆片表面,然后通过晶圆切割获得符合芯片大小的玻璃方片,最后将其贴装到芯片......
[期刊论文] 作者：阮孟英, 金名巩, 方文卿, 王莎,,
来源：智慧健康 年份：2019
目的研讨临床对尿毒症患者皮肤瘙痒应用血液透析+血液灌流联合治疗的有效性。方法随机抽选于2017年7月至2018年7月我院收治的40例尿毒症皮肤瘙痒患者,随机分为两组。研究组(n...
[期刊论文] 作者：杨超普, 方文卿, 刘明宝, 阳帆,,
来源：发光学报 年份：2019
为了便捷准确地调节出8位LED背光液晶屏超低色温,通过Adobe Photoshop软件设置填充色RGB数值,在LED背光液晶屏上显示色块,结合自制手机屏幕蓝光吸收膜,实现超低色温调节。通...
[期刊论文] 作者：戴江南,王立,方文卿,蒲勇,江风益,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射技术测得其对称衍射 (0002)面ω扫描半峰宽 (...
[期刊论文] 作者：方文卿,李述体,刘和初,江风益,
来源：发光学报 年份：2004
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向...
[期刊论文] 作者：阮孟英,金名巩,方文卿,刘东,
来源：微循环学杂志 年份：2019
目的:比较两种尿激酶方案治疗尿毒症血液透析患者中心静脉导管功能不良的临床疗效。方法:2013-01—2018-01收治的尿毒症导管功能不良患者84例,随机分成A方案组与B方案组,每组...
[会议论文] 作者：刘苾雨,姜乐,方文卿,刘军林,
来源：2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份：2011
由于现有商用在线弯曲测量仪的局限性，为了能更好的了解图形Si衬底GaN外延生长过程中的应力变化，我们设计制造了在线弯曲测量仪，并得到了生长过程中外延片的弯曲变化。本文......
[会议论文] 作者：江风益,王立,莫春兰,方文卿,郑畅达,
来源：2006光电器件及光电显示产业论坛 年份：2006
本研究在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制备了多量子阱LED结构,通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除生长衬底,实现了外延层的转移,制备了出光面为N型层的垂直...
[会议论文] 作者：方文卿,李述体,刘和初,江风益,
来源：第八届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2002
本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩散模型,对结果进行了高斯拟合,得出了硅在高...
[会议论文] 作者：刘苾雨,方文卿,刘军林,姜乐,
来源：2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份：2011
由于现有商用在线弯曲测量仪的局限性，为了能更好的了解图形Si衬底GaN外延生长过程中的应力变化，我们设计制造了在线弯曲测量仪，并得到了生长过程中外延片的弯曲变化。本文介绍了仪器的测量原理，硬件和软件的系统结构，发现整个测量过程中的关键点是控制步进电机的运......
[期刊论文] 作者：莫春兰,方文卿,刘和初,周毛兴,江风益,
来源：高技术通讯 年份：2005
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高...
[期刊论文] 作者：熊传兵,江风益,方文卿,王立,莫春兰,
来源：物理学报 年份：2004
利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的lnGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的...
[会议论文] 作者：江风益,方文卿,莫春兰,刘和初,周毛兴,
来源：第九届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2004
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上成功地生长出了较高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得(002)遥摆曲线的半峰宽(FWHM)为389arcsec,(102)遥摆曲线的半峰宽(FWHM...
[期刊论文] 作者：熊传兵,江风益,王立,方文卿,莫春兰,,
来源：物理学报 年份：2008
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干...
[会议论文] 作者：莫春兰,方文卿,刘和初,周毛兴,江风益,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30nm,表明本单位已经突破中......
[期刊论文] 作者：杨超普,方文卿,刘明宝,毛清华,阳帆,
来源：人工晶体学报 年份：2019
“回熔”依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前“多腔+Al N模板”生长法能避免镓回熔,但仍然无法解决“铝回熔”。本文...
[期刊论文] 作者：杨超普, 方文卿, 阳帆, 赫蕊蕊, 祝飞,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
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