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[学位论文] 作者：方泽波,,
来源：兰州大学 年份：2006
本论文主要包括两方面的内容:退火及Tb掺杂对ZnO薄膜结构,电学和光学特性的影响;硅基高K栅介质Er2O3薄膜的制备及特性研究。 ZnO是一种重要的宽带隙半导体材料。由于它在太阳...
[学位论文] 作者：方泽波,
来源：湖南师范大学 年份：2021
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[期刊论文] 作者：陈伟,方泽波,
来源：西华师范大学学报：自然科学版 年份：2010
利用射频磁控溅射法在P型Si（100）衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3（ErAlO）栅介质薄膜，得到了电学特性优异的薄膜样品，对薄膜的退火研究发现，600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数......
[期刊论文] 作者：吴建国,方泽波,,
来源：安全、健康和环境 年份：2012
介绍了加油站清罐作业的常见流程，以及清罐作业前的各项准备工作，探讨了加油站清罐作业过程的HSE管理措施及注意事项。...
[期刊论文] 作者：方泽波, 刘培志,,
来源：现代职业安全 年份：2013
中化集团石油中心(简称中化石油)业务经营包括原油及成品油贸易、炼化、仓储物流、油品分销和零售、仓储和炼化等部分,日常管理和运营7家仓储企业、17家油品销售企业、1...
[期刊论文] 作者：朱燕艳,方泽波,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
利用X射线光电子能谱方法对Si基Er2O3外延薄膜的化学组分进行了分析。在x射线照射样品和氩离子轰击使样品减薄的过程中没有诱发其他的化学反应。研究了清洁的Si和有氧化层的S...
[期刊论文] 作者：朱燕艳,方泽波,刘永生,,
来源：Journal of Rare Earths 年份：2004
Stoichiometric and amorphous Er2O3 films were deposited on Si(001) substrates by radio frequency magnetron technique. Spectroscopic ellipsometry measurement sho...
[期刊论文] 作者：朱燕艳,方泽波,刘永生,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
This paper reports that stoichiometric, amorphous, and uniform Er2O3 films are deposited on Si(001) substrates by a radio frequency magnetron sputtering techniq...
[期刊论文] 作者：陈伟,方泽波,谌家军,,
来源：电子元件与材料 年份：2010
采用射频磁控溅射法在p型Si（100）衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3（ErAlO）栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,...
[期刊论文] 作者：朱燕艳,徐闰,方泽波,
来源：红外与毫米波学报 年份：2014
用磁控溅射的方法在透明导电氧化物衬底上制备了CdS薄膜,制备时的衬底温度为30 ～ 200℃.X射线衍射测试结果表明在这一条件下制备的CdS薄膜是六角纤锌矿的多晶结构.扫描电子显...
[期刊论文] 作者：谭永胜,龚恒翔,方泽波,,
来源：绍兴文理学院学报(自然科学版) 年份：2007
采用反应磁控溅射法在不同条件下制备了TiO2薄膜样品，研究了衬底温度、氧分压、溅射压强等生长条件对薄膜结构特性的影响．得到了反应磁控溅射法制备锐钛矿相TiO2薄膜的最佳沉积......
[期刊论文] 作者：朱燕艳,方泽波,徐闰,,
来源：Journal of Rare Earths 年份：2011
Er2O3-Al2O3 film was deposited on the Si(001) substrate by radio frequency magnetron technique at room temperature.The samplewas annealed at 450,600 and 750 oC...
[期刊论文] 作者：朱燕艳,徐闰,方泽波,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2014
用磁控溅射的方法在透明导电氧化物衬底上制备了CdS薄膜,制备时的衬底温度为30~200℃.X射线衍射测试结果表明在这一条件下制备的CdS薄膜是六角纤锌矿的多晶结构.扫描电子显微...
[期刊论文] 作者：方泽波,侯玉清,谢晋国,
来源：中国临床药理学杂志 年份：2018
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[期刊论文] 作者：姚博,方泽波,徐海涛,李琰,
来源：绍兴文理学院学报 年份：2020
近年来,西方国家对我国芯片行业核心技术的封锁政策,倒逼中国集成电路发展走自主创新之路。与技术发展相对应的是我国集成电路人才缺口日益凸显。微电子相关行业对具有综合创...
[期刊论文] 作者：仇庆林,朱燕艳,方泽波,,
来源：真空电子技术 年份：2016
La2O3是一种高k栅介质材料。本文采磁控溅射方法制备了硅基La2O3薄膜,用热蒸发法在薄膜表面分别制备了Al和Pt电极,采用电流-电压法研究了上述金属/La2O3/Si结构的漏电流机制...
[期刊论文] 作者：方泽波,夏卫生,朱捍华,刘瑞,
来源：湖北农业科学 年份：2021
利用数据分析法、比较优势分析模型对湖南省近年来的农业数据进行深入剖析,探究湖南省农村种植业结构调整过程中农民种植结构调整意愿不强烈、农村种植业结构相对单一、农产...
[期刊论文] 作者：谭永胜,方泽波,陈伟,何丕模,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
This paper reports that Eu-doped ZnO films were successfully deposited on silicon (100) by radio-frequency magnetic sputtering. The x-ray diffraction patterns i...
[期刊论文] 作者：张智方, 赵霜, 方泽波, 朱燕艳,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：朋兴平,王印月,方泽波,杨映虎,
来源：半导体学报 年份：2005
通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜．在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱，观察到波长位于415nm(3．02eV)和430nm(2．88eV)附近的蓝紫...
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