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[期刊论文] 作者：曾世铭,
来源：稀有金属 年份：1979
一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘...
[期刊论文] 作者：曾世铭,,
来源：科技与企业 年份：1995
在邓小平同志建设有中国特色的社会主义市场经济理论指导下,伟大祖国在政治、经济和科技等领域都取得了举世瞩目的成就。我们金鑫公司的全体员工正是在改革开放大潮的推动下,...
[期刊论文] 作者：曾世铭,
来源：人工晶体 年份：1982
本文共分六节。〈一〉前言:硅单晶自五十年代开始研制和生产以来,已有三十年的历史了。单晶直径从≤1英吋,逐渐增大到4—5英吋。炉装料量≤1公斤增加到20～30公斤,最大达60～100...
[期刊论文] 作者：曾世铭,
来源：稀有金属 年份：1978
一、前言 半导体硅具有电阻率范围广、温度特性好、氧化物的掩蔽性能优良等特点。因而自1950年第一只硅晶体管问世以来,世界各国对硅材料的科研、生产十分重视。在多晶硅的...
[期刊论文] 作者：常青,曾世铭,
来源：稀有金属 年份：1995
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍｍ，晶......
[期刊论文] 作者：曾世铭,常青,
来源：稀有金属 年份：1995
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的拉制工艺，轩出无位错的φ１００ｍｍ单，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。......
[期刊论文] 作者：曾世铭,张鲁,
来源：稀有金属 年份：1990
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25....
[期刊论文] 作者：王喜民,曾世铭,
来源：稀有金属 年份：1983
自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四分之三以上是用直拉法生产的,主要用于各种...
[期刊论文] 作者：曾世铭,王喜民,,
来源：稀有金属 年份：1980
一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规...
[期刊论文] 作者：曾世铭,王大平,张鲁,
来源：稀有金属 年份：2004
一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿...
[期刊论文] 作者：常青,曾世铭,何林,王君毅,
来源：稀有金属 年份：1995
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍｍ，晶......
[期刊论文] 作者：曾世铭,何林,王君毅,常青,许江华,
来源：RARE METALS 年份：1995
ＥｆｆｅｃｔｏｆＧｒｏｗｔｈＰａｒａｍｅｔｅｒｓｏｎＣｏｒｅＬｅｎｇｔｈｏｆΦ７６．２ｍｍＨｅａｖｉｌｙＳｂ－ｄｏｐｅｄＳｉＣｒｙｓｔａｌｓＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＨｅＬｉｎ，ＷａｎｇＪｕｎｙｉ，ＣｈａｎｇＱｉｎｇａｎｄＸｕＪｉａｎｇｈｕａ（曾世铭）.........
[期刊论文] 作者：曾世铭,常青,王锻强,张果虎,
来源：稀有金属 年份：1995
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。Through the experiments......
[期刊论文] 作者：陈家骏, 邹凯, 徐由兵, 段敏, 曾世铭,,
来源：中国标准化 年份：2017
由于单晶硅氧含量及其均匀性既能显著影响各种硅基器件的性能,又是一种难以控制的硅晶体生长参数。通过研究能够分析出直拉单硅晶生产中氧杂质引入机理及其对晶体质量影响的...
[期刊论文] 作者：曾世铭,张鲁,何林,屠海令,翟福义,
来源：稀有金属 年份：1990
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/...
[期刊论文] 作者：周旗钢,曾世铭,张福珍,陈勇钢,孙华英,
来源：稀有金属：英文版 年份：1995
ＧｒｏｗｔｈＣｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｆΦ１００ｍｍｎ＜１１１＞ＦＺＳｉｌｉｃｏｎＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＺｈｏｕＱｉｇａｎｇ，ＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＺｈａｎｇＦｕｚｈｅｎ，ＣｈｅｎＹｕｎｇａｎｇａｎｄＳｕｎＨｕａｙｉｎｇ（周旗钢）（曾世铭）（张福珍.........
[期刊论文] 作者：周旗钢,曾世铭,张福珍,陈勇钢,孙华英,
来源：RARE METALS 年份：1995
ＧｒｏｗｔｈＣｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｆΦ１００ｍｍｎ＜１１１＞ＦＺＳｉｌｉｃｏｎＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＺｈｏｕＱｉｇａｎｇ，ＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＺｈａｎｇＦｕｚｈｅｎ，ＣｈｅｎＹｕｎｇａｎｇａｎｄＳｕｎＨｕａｙｉｎｇ（周旗钢）（曾世铭）（张福珍...GrowthConditionsofΦ100mmn FZSiliconSingleCrystalZhouQigang, ZengShiming, ZhangFuzhen, ChenYungangandSunHuaying (Zhou Qigang)......
[会议论文] 作者：曾世铭,蒋建华,邵仲平,殷兰训,王煜辉,黄新大,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
硅单晶生产企业需要从市场购买多晶硅作为原料。然而，使用购进的免洗多晶硅来拉制单晶时，由于熔体表面有浮渣，使得单晶断棱，成品率不高，必须自己重新酸洗才能用于拉晶。本文通过大量实验工作，发现由于一些多晶硅块上有裂纹和深缝，其中内藏的残酸难以漂洗干净，拉晶时残留......
[会议论文] 作者：汪义川, 李剑, 黄治国, 吴而义, 俞超, 沈浩平, 曾世铭,,
来源：第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代 年份：2008
...
[会议论文] 作者：曾世铭,冯(龙天),蒋建华,蔡岳峰,汪义川,李剑,黄治国,
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳电池性能之间的关系，因而饥不择食地购入了大量的垃圾原料诸如：极低阻的重掺硅料；祸底料；薄镀膜片，彩片；电池废片等杂料，误认为可通过型号......
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