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[期刊论文] 作者：朱南昌,
来源：工程施工 年份：2016
众所周知，在我们的日常生活中衣食住行必不可少，尤其是对于房屋建筑，在进行施工建设过程中尤为慎重。因为房建是一项较大的工程，会出现这样或那样的问题，其中，渗漏问题表现的比较明......
[期刊论文] 作者：朱南昌,李润身,
来源：半导体学报 年份：1992
本文在利用X射线动力学和运动学衍射理论对单晶外延层材料的双晶摇摆曲线进行计算分析的基础上,给出了测定单晶外延层厚度和质量的方法.当外延层的厚度较薄时,外延层衍射峰的...
[期刊论文] 作者：关安民,朱南昌,
来源：上海半导体 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李润身,朱南昌,
来源：半导体学报 年份：1990
作者提出一种以已知晶胞参数的单晶为参考标准测定样品单晶晶胞参数的方法。测定结果包括晶胞参数a、b、c、α、β、γ及样品相对参考晶体的取向。对测量中可能产生的误差进...
[期刊论文] 作者：朱南昌,李润身,
来源：半导体学报 年份：1995
本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测定三个衍射，并考察了表面偏离对称轴的影响，同时，引入了表征界面状态的界......
[期刊论文] 作者：唐千里,朱南昌,
来源：分析仪器 年份：1990
本文介绍一种微机化的X射线双晶衍射仪,不但可用于近完整晶体中微小畸变,点阵错配及晶片弯曲等的测量,而且可以作定点定时的强度记录和扫描,以提高信噪比,并使曲线数据化。经...
[期刊论文] 作者：朱南昌,陈京一,
来源：半导体学报 年份：1992
本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs（100）样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙...
[期刊论文] 作者：唐于里,朱南昌,
来源：电子与仪表 年份：1990
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[期刊论文] 作者：徐景阳,朱南昌,
来源：RARE METALS 年份：1994
Ｘ－ｒａｙＤｏｕｂｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌＤｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒｗｉｔｈＨｏｒｉｚｏｎｔａｌＳｌｉｔｓａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓＸｕＪｉｎｇｙａｎｇａｎｄＺｈｕＮａｎｃｈａｎｇ徐景阳，朱南昌（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｌｅｏｆＭｅｔａ.........
[期刊论文] 作者：朱南昌,周国良,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及完整性，结果表明：在350－550℃的低温生长条件下，可生长出较高...
[期刊论文] 作者：唐千里,朱南昌,李润身,,
来源：分析仪器 年份：1990
本文介绍一种微机化的X射线双晶衍射仪,不但可用于近完整晶体中微小畸变,点阵错配及晶片弯曲等的测量,而且可以作定点定时的强度记录和扫描,以提高信噪比,并使曲线数据化。经...
[会议论文] 作者：关安民,陈京一,朱南昌,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：施天生,朱南昌,沈杰,方家熊,
来源：半导体学报 年份：1995
利用高精度Ｘ射线双晶衍射术，研究了碲熔剂法生长的Φ１５ｍｍ的Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ块晶片的结构不完整性，发现工艺大致相同的块晶晶体完整性差别十分明显，但它们的晶格不完整性沿径向的分布具有共同特征－呈Ｗ形......
[期刊论文] 作者：陈京一,朱南昌,田亮光,李润身,
来源：半导体学报 年份：1990
本文阐述了一种基于X射线动力学衍射理论的计算机模拟方法,该方法可用于分析超晶格材料的X射线双晶摆动曲线,用模拟计算方法得到了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的各种结构...
[期刊论文] 作者：朱南昌,李润身,陈京一,许顺生,
来源：半导体学报 年份：1995
本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表面偏离对称轴的影响．同时，引入了表征界面状态......
[期刊论文] 作者：俞跃辉,朱南昌,邹世昌,周筑颖,赵国庆,
来源：电子科学学刊 年份：1996
将能量为3MeV,剂量为5×10~(15)cm~(-2)的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分......
[期刊论文] 作者：钟福民,陈京一,朱南昌,李杰,袁诗鑫,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
用Ｘ射线衍射并结合Ｘ射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法，对简单和复杂两种结构的（ＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ）／ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ（００１）应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究，得到了它的结构参数。......
[期刊论文] 作者：朱南昌,李润身,陈京一,彭中灵,袁诗鑫,
来源：红外与毫米波学报 年份：1995
给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界......
[期刊论文] 作者：钟福民,陈京一,朱南昌,李杰,袁诗鑫,
来源：应用科学学报 年份：1993
用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息....
[期刊论文] 作者：顾宏,夏冠群,陈京一,朱南昌,沈鸿烈,周祖尧,
来源：应用科学学报 年份：1995
对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果......
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