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[期刊论文] 作者：费新,朱正涌,
来源：半导体技术 年份：1995
对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试方法，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２０００Ｖ以......
[期刊论文] 作者：张晓永,朱正涌,
来源：半导体技术 年份：1997
提出了一种利用普通光刻机获得亚微米、深亚微米刻蚀掩蔽图形的方法：二氧化硅膜过腐蚀法。利用该方法形成的掩蔽图形实现了扩磷多晶硅的高度各向异性反应离子刻蚀，并对其刻蚀机......
[期刊论文] 作者：费新薄,朱正涌,
来源：半导体学报 年份：1995
本文研究了CMOS电路中的Latchup效应。通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Latchupfree结构。本文同时使用P...
[期刊论文] 作者：费新礴,朱正涌,
来源：半导体技术 年份：1995
对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２０００Ｖ以上的......
[期刊论文] 作者：费新礴,朱正涌,
来源：半导体学报 年份：1995
本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟．This paper studi......
[期刊论文] 作者：向采兰，孔晓骅，吴博，董继华，顾祖毅，朱正涌，田立林，宋文忠,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：1999
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：向采兰,孔晓骅,吴博,董继华,顾祖毅,朱正涌,田立林,宋文忠,
来源：清华大学学报(自然科学版) 年份：1999
介绍一个集成电路制造工艺多媒体计算机辅助教学（ＭＣＡＩ）系统的设计与开发。系统包括教学系统及教学管理系统。ＩＣ制造工艺原理课件包括各种工艺的工艺目的、工艺原理、工艺参数和质量检......
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