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[期刊论文] 作者:朱顺才,
来源:中山集团评论 年份:1989
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[期刊论文] 作者:朱顺才,
来源:稀有金属 年份:1992
近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET...
[期刊论文] 作者:朱顺才,
来源:半导体情报 年份:1995
采用变磁场霍尔效应方法,在低磁场(B<0.6T)和低温(T=77K)条件下,了HEMT器件用调制掺杂GaAs/AlxCa1-xAs异质结构材料的输运特性,给出了材料电学参数(ρ、n和μ)与B的依赖关系,揭示了平行电......
[期刊论文] 作者:朱顺才,
来源:大观周刊 年份:2012
新课标指出:“阅读是学生的个性化行为,应该引导学生钻研文本,在主动积极的思维和情感活动中,加深理解和体验,有所感悟和思考,受到情感熏陶。要珍视学生独特的感受、体验和理解。”......
[期刊论文] 作者:朱顺才,
来源:路基工程 年份:1992
近年来,随着改革开放,我国向国外提供的经济技术援助以及劳务合同项目逐渐增加,以下就近期我国对外援建的一条公路的建设,将该公路路基设计的一些情况作些介绍,供作同类工作...
[期刊论文] 作者:朱顺才,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1988
中国有色金属学会半导体材料学术委员会主办的一九八七年全国砷化镓及有关化合物会议,于1987年10月19日至24日在北京平谷县举行。到会代表近130人,会上交流论文共127篇。来...
[期刊论文] 作者:朱顺才,,
来源:路基工程 年份:1992
近年来,随着改革开放,我国向国外提供的经济技术援助以及劳务合同项目逐渐增加,以下就近期我国对外援建的一条公路的建设,将该公路路基设计的一些情况作些介绍,供作同类工作...
[期刊论文] 作者:朱顺才,过海洲,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1989
本文叙述用Van der Pauw法和腐蚀法测量的2~3英寸半绝缘LEC-GaAs单晶的特性分布,即电阻率、霍尔迁移率、霍尔浓度和位错密度的纵向和横向分布。通过测试分析,揭示了原生晶体和...
[期刊论文] 作者:刘爱民,朱顺才,
来源:贵州地质 年份:1991
侏罗纪时期,河流作用是最主要的地质营力,在适宜的构造条件下,发育了2000多米厚砂质河流沉积。根据1:5万区调资料分析,将砂质河流环境划分为三大亚环境和四种沉识类型,并对每...
[期刊论文] 作者:朱经济,朱顺才,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1981
GaAs阳极氧化技术已日益广泛地应用于半导体工艺.这种氧化技术的关键是选择适当的电解质.选择电解质时要考虑如下要求:在相同的氧化条件下,电解质必须具有相同的化学和电学特...
[期刊论文] 作者:毛志中,朱顺才,
来源:贵州地质 年份:1989
雷山地区分布着以板岩为主的浅变质岩.这类岩石的分布区风化壳极其发达,地形十分破碎,土层深厚疏松,浅层潜水的分布非常普遍而丰富.从而形成了一种极好的林用土地类型....
[期刊论文] 作者:彭正夫,朱经济,朱顺才,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1986
本文采取理论计算与实验数据相拟合的方法,简明地图解了掺Fe或同时掺Fe和Ga的半绝缘InP的电学性质.当选取电子与空穴迁移率之比μ_n/μ_p(?)20时,两种材料的Hall迁移率μ_H都...
[期刊论文] 作者:秦守荣,朱顺才,王砚耕,
来源:贵州地质 年份:1984
黔东晚元古早期地层之岩组,大部分为六十年代初期建立。本文在列述原来按“沉积旋回”建组造成的若干弊端之后,提出了重新划分的具体方案,并对各组特征及原方案对比关系作了...
[会议论文] 作者:况忠;韩宝智;黄欣欣;朱顺才;,
来源:第十八届中国遥感大会 年份:2012
在前人工作的基础上,对覆盖贵州的ETM+遥感影像图进行了解译,共有地表断裂4193条,其中以北东向断裂最多,其次是近南北向断裂,而东西向及北西向断裂最少。大体以松桃-余庆-纳雍......
[期刊论文] 作者:过海洲,朱顺才,祝和,吴颖炜,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1988
本文报道了退火对非掺LEC SI GaAs晶片的电学性能和均匀性的影响。在850℃以上退火,晶片横截面上的平均迁移率由原生晶体的2.64×10~3cm~2/V·s提高到5.72×10`3cm~2/V·s,其...
[期刊论文] 作者:谢自力,陈宏毅,朱顺才,夏德谦,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1992
本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×1016cm-3时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×1015cm-...
[期刊论文] 作者:彭正夫,张允强,高翔,孙娟,朱顺才,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1992
报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high el...
[期刊论文] 作者:王砚耕,谢志强,王来兴,陈德昌,朱顺才,,
来源:中国区域地质 年份:1986
一、前言分布在贵州东部及邻区的铁丝坳组,大致相当于早震旦世古城期沉积,1978年以来,曾有“小冰”之称。王砚耕和马国干在创建本组时,认为是一种特殊的“冰海相”沉积(1981...
[期刊论文] 作者:龚梅,况顺达,况忠,朱顺才,闵艳艳,李思发,,
来源:贵州地质 年份:2011
贵州贵阳—独山地区构造在TM影像上具有较高的可识别性。本次构造解译以Land-sat-7TM为数据源,选择各波段之间相关系数最小的TM7、TM4、TM1波段合成假彩色图像,采用人机交互...
[期刊论文] 作者:谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,朱顺才,陈小兵,
来源:半导体技术 年份:1994
报道了对LEC法生长的SI-GaAs单晶热稳定性检测结果,在800℃以上温度条件下退火,发现GaAs单晶的热稳定性不但与处理的条件有关,还与单晶中杂质C的含量有关。The results of the thermal stability......
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