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[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,朱魁鹏,JIANG Ya-Dong,LI W,
来源：物理化学学报 年份：2004
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275 ℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度...
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,朱魁鹏,蒋亚东,李伟,廖乃镘,
来源：光电子．激光 年份：2008
采用RF-PECVD工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪（FTIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析...
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,朱魁鹏,蒋亚东,李伟,廖乃镘,,
来源：物理化学学报 年份：2007
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF—PECVD）I艺制备非晶硅（a—Si：H）薄膜，KBr衬底在175—275℃范围内变化，用傅立叶红外光谱仪WrIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情......
[期刊论文] 作者：杨利霞,吴志明,李世彬,蒋亚东,朱魁鹏,李伟,廖乃镘,,
来源：半导体光电 年份：2008
以硅烷和硼烷为气相反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化，以及光照和噪声对材料电学性质的影响。......
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