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[学位论文] 作者：李士颜,
来源：中国科学院大学 年份：2016
随着集成电路技术发展到10纳米技术节点以下，硅集成电路技术在速度、功耗、集成度、可靠性等方面受到一系列基本物理问题和工艺技术的限制。将高迁移率“非硅”材料引入到Si基......
[期刊论文] 作者：柏松,李士颜,杨晓磊,费晨曦,刘奥,黄润华,杨勇,
来源：科技导报 年份：2021
碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性,即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状,其中中低压器件发展已逐渐成熟,......
[期刊论文] 作者：李士颜,杨晓磊,黄润华,汤伟,赵志飞,柏松,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×1014 cm-3的外延层上制备15 kV/10A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果.对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注...
[期刊论文] 作者：杨晓磊,李士颜,赵志飞,李赟,黄润华,柏松,
来源：电子与封装 年份：2022
自主设计和制备了 一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件.通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功在N型SiC衬底上制备了 Si......
[期刊论文] 作者：李士颜,牛利刚,陈谷然,刘强,黄润华,柏松,杨勇,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
南京电子器件研究所自主研发了基于自对准沟道的低导通电阻SiC MOSFET技术,采用6英寸SiC MOSFET工艺平台,研制出1 200V,25mΩ SiC MOSFET大容量芯片,图1(a)为晶圆图片.攻克了多芯片并联均流设计、低寄生参数封装等关键技术,研制出一款新能源汽车用1 200 V/600A ......
[期刊论文] 作者：柏松,李士颜,费晨曦,刘强,金晓行,郝凤斌,黄润华,杨勇,
来源：人工晶体学报 年份：2020
自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1...
[期刊论文] 作者：金晓行,李士颜,田丽欣,陈允峰,郝凤斌,柏松,潘艳,
来源：中国电机工程学报 年份：2020
该文报道6.5kV、25A及100A两款全碳化硅(silicon carbide,SiC)功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor,MOSFET)模块制备及测试结果.两款模块所采用的6.5k...
[期刊论文] 作者：李梦珂,袁丽君,于红艳,阚强,李士颜,米俊萍,潘教青,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
We present a single-mode laser on a p-In P substrate suitable for bonding on silicon-on-insulator(SOI)wafer. The laser can realize single mode lasing with etchi...
[期刊论文] 作者：杨同同, 杨晓磊, 黄润华, 李士颜, 刘奥, 杨立杰, 柏松,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2018
...
High-Performance In_(0.23)Ga_(0.77)As Channel MOSFETs with High Current Ratio I_(on)/I_(off) Grown o
[期刊论文] 作者：孔祥挺,周旭亮,李士颜,乔丽君,刘洪刚,王圩,潘教青,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
We demonstrate high-performance In_(0.23) Ga_(0.77) As channel metal-oxide-semiconductor Seld-effect transistors(MOSFETs) with high on-current to off-current(I_...
[期刊论文] 作者：米俊萍,于红艳,袁丽君,李士颜,李梦珂,梁松,阚强,潘教青,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2015
We report a 1.8 μm two-section distributed Bragg reflector laser using butt-jointed In Ga As P bulk material as the waveguide core layer. The threshold current...
[期刊论文] 作者：李士颜,周旭亮,孔祥挺,李梦珂,米俊萍,王梦琦,潘教青,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
This letter reports the nanoscale spatial phase modulation of Ga As growth in V-grooved trenches fabricated on a Si(001) substrate by metal–organic vapor-phase...
[期刊论文] 作者：李士颜,周旭亮,孔祥挺,李梦珂,米俊萍,边静,王伟,潘教青,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
A high quality of GaAs crystal growth in nanoscale V-shape trenches on Si(001) substrates is achieved by using the aspect-ratio trapping method.GaAs thin films...
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