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[期刊论文] 作者：李悰,,
来源：中国招标 年份：2013
在招标执业的实际过程中,常会遇到投标人的异议。在处理过程中由于沟通不充分,容易造成双方的误解,进而可能演变成投诉。本文根据《招标投标法实施条例》的有关规定对异...
[期刊论文] 作者：李悰,,
来源：中外企业家 年份：2016
机械制造是一个国家经济发展的基础产业,自动化技术的应用使得机械制造大大提高了效率、降低了危险系数、效率更高、实现回路反馈系统,使得机械制造不那么机械,呈现微智能化。然而,在未来的技术发展中,机械制造及其自动化技术将实现真正的智能化。本文就机械制......
[学位论文] 作者：李悰,
来源：南京大学 年份：2013
随着人类社会的进步，人们对半导体微（纳）电子与光电子器件的要求不断提高。器件的发展一直朝着高速、高性能、多功能、低功耗和小型化的方向前进，因此要求研究人员不断地寻找和开......
[学位论文] 作者：李悰,
来源：云南大学 年份：2010
本文利用射频磁控溅射设备沉积了碲镉汞薄膜。XRD和TEM表征结果显示，所制备的薄膜为非晶态。我们测试了薄膜的吸收光谱，并采用不同方法对其进行了处理，得到薄膜光学带隙和相应的......
[学位论文] 作者：李悰昊,,
来源：天津师范大学 年份：2020
随着互联网技术的突飞猛进和自主学习理念的深入人心,教育类APP成为一种新的学习方式,能够辅助与促进学习。化学APP在教学中的应用还处于探索与尝试阶段,这种新教学方式符合信息技术发展的时代趋势,有助于学生信息素养及自主学习能力提升,是教学发展的必然要求......
[期刊论文] 作者：李悰,许彦鑫,何宏平,,
来源：科技视界 年份：2017
进口塑封集成电路在军用电子设备中普遍使用,但由于采购渠道的限制,产品质量参差不齐,如何甄别有潜在风险的产品尤为重要。在本文中,我们报道了一起案例：通过补充筛选试验无法......
[期刊论文] 作者：李悰,许彦鑫,何宏平,
来源：发光学报 年份：2017
通过将a-Ge∶H/a-SiNx多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiNx多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除...
[会议论文] 作者：李悰,徐骏,林涛,李伟,陈坤基,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
Si基光源是实现单片光电集成的关键，也是长期以来人们一直关注和研究的前沿问题之一[1]。特别是为了克服体硅材料发光效率低下的问题，多年来国内外很多研究小组在纳米Si量子点的制备与发光特性研究方面开展了大量工作，并在室温下实现了较强的光致与电致光发射，其效......
[期刊论文] 作者：胡子翔,王志海,邓友银,李悰,,
来源：机械与电子 年份：2017
针对微波功率管在温度循环试验中出现的引脚脱落故障,通过力学仿真进行故障复现和失效机理分析,确定了功率管底座与盒体材料的热膨胀系数不匹配,以及连接方式不合理是造成引...
[会议论文] 作者：张培,沐维维,李悰,徐骏,陈坤基,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
纳米硅(nc-Si)材料的非线性折射率系数比单晶体Si和SiO2材料分别大两个和四个数量级，这为光开关、光调制、以及波长转换等光器件的应用提供了一种新颖的材料，因而近几年来，......
[期刊论文] 作者：李悰,徐骏,林涛,李伟,李淑鑫,陈坤基,,
来源：发光学报 年份：2011
通过PECVD制备出了不同厚度的a-Ge∶H膜,采用Raman光谱对样品进行了结构表征,由椭圆偏振光谱仪得到样品的厚度和光学常数,并计算了样品的光学带隙。由变温电导率分析了薄膜的...
Structural and electrical properties of laser-crystallized nanocrystalline Ge films and nanocrystall
[期刊论文] 作者：李悰,徐骏,李伟,江小帆,孙胜华,徐岭,陈坤基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
Nanocrystalline Ge(nc-Ge) single layers and nc-Ge/SiN x multilayers are prepared by laser annealing amorphous Ge(a-Ge) films and a-Ge/SiN x multilayers.The micr...
[会议论文] 作者：张培,李悰,姜利英,李青华,闫艳霞,姜素霞,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
纳米硅基的光放大器,波长转换器和全光开光等光电子器件的研究已经取得了一定的进展,但现有的纳米硅材料的三阶非线性折射率系数仍然较小,这就限制了其在非线性光学器件中的应用.与Si 材料相比,半导体Ge 具有很多独特的性质：更小的电子和空穴有效质量,较大的介电......
[期刊论文] 作者：李悰,张培,姜利英,陈青华,闫艳霞,姜素霞,,
来源：发光学报 年份：2016
采用等离子体增强化学气相沉积和后退火的方法制备了纳米锗/氮化硅（nc-Ge/SiN_x）多层薄膜。借助Raman光谱仪对其微结构进行表征,测得样品的晶化率大于46%。由样品的光吸收谱可...
[期刊论文] 作者：李雄军,孔金丞,王光华,余连杰,孔令德,杨丽丽,邱锋,李悰,,
来源：红外技术 年份：2010
对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞（a-MCT）薄膜在真空状态下进行退火，并通过x射线衍射（XRD）技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数甙，）和电学测试系......
Effect of power variation on microstructure and surface morphology of HgCdTe films deposited by RF m
[期刊论文] 作者：王光华,孔金丞,李雄军,邱锋,李悰,杨丽丽,孔令德,姬荣斌,,
来源：半导体学报 年份：2004
Mercury cadmium telluride films were grown by the RF magnetron sputtering technique at different sputtering powers.In experiment,X-ray diffraction(XRD) and atom...
Effect of power variation on microstructure and surface morphology of HgCdTe films deposited by RF m
[期刊论文] 作者：王光华,孔金丞,李雄军,邱锋,李悰,杨丽丽,孔令德,姬荣斌,
来源：半导体学报 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：邱锋,项金钟,孔金丞,余连杰,孔令德,王光华,李雄军,杨丽丽,李悰,姬荣斌,,
来源：半导体学报 年份：2011
This paper reports the dark conductivity and photoconductivity of amorphous Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te thin films deposited on an Al_2O_3 substrate by RF magnetron sp...
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