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[学位论文] 作者：李相光,,
来源：苏州大学 年份：2017
笔记本电脑转轴是连接笔记本显示屏和主机箱体的重要部件,对转轴设计好与坏的评价有两个重要的技术指标:结构强度和疲劳寿命。结构强度高的转轴不仅可以承受更重的显示屏,而...
[学位论文] 作者：李相光,
来源：中国人民大学 年份：2009
当代各国为增强创新能力而同益重视从需求角度考虑产品和服务的创新。领先市场因在创新过程中所起的突出作用而受到越来越多国家的重视。本文梳理和评述了领先市场研究近年来...
[期刊论文] 作者：张树丹,李相光,
来源：电子器件 年份：1997
报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅脉功率晶体管实验结果。在２ＧＨｚ短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率７０Ｗ，增益８．５ｄＢ，集电极效率５０％。...
[期刊论文] 作者：傅义珠,李相光,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
报道了一种高增益高效率Ｓ波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。器件在ｆ＝２．４～２．６ＧＨｚ，Ｄ＝１０％，τｐ＝１００μｓ，Ｖｃ＝３６Ｖ条件下输出功率１００Ｗ、增益９ｄＢ、效率５０％。在ｆ＝２．６ＧＨｚ短脉宽条件下输出功率１６０Ｗ、增益８．０ｄＢ、效率６０％。......
[期刊论文] 作者：李相光,王允清,
来源：石油物探 年份：1999
随着高分辨率地震勘探技术的提高，地震勘探的精度也越来越高。在大庆探区内，地震资料处理在高保真的情况下，中浅层资料的主频已达到５０Ｈｚ以上，视频在７０Ｈｚ以上，分辨率较常规二维地震资料提高......
[期刊论文] 作者：刘洪军,傅义珠,李相光,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
报道了530~650MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi/WN/Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻,采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容,采用穿通型硅外...
[会议论文] 作者：朱权,林川,李学坤,李相光,
来源：2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2004
随着通信技术的不断发展,对通信设备的要求也越来越高,作为通信系统的关键部件—功率放大器,也要求其工作频带更宽,放大的功率更大.本文介绍了一个宽带大功率放大器的设计方...
[期刊论文] 作者：李相光,王允清,李勤学,周振庄,
来源：石油物探 年份：1999
随着高分辨率地震勘探技术的提高，地震勘探的精度也越来越高。在大庆探区内，地震资料处理在高保真的情况下，中浅层资料的主频已达到50HZ以上，视频在70Hz以上，分辨率较常规二维地震......
[期刊论文] 作者：张树丹,朱蓓德,李相光,王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐...
[期刊论文] 作者：赵普社,王因生,李相光,傅义珠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
硅微波功率晶体管具有功率大、可靠性好等优点,是非常重要的半导体器件,在电子设备中有着广泛应用,其典型应用主要在通信、雷达等领域。从性能上,该类器件一直向更高的频率和...
[期刊论文] 作者：张树丹,李相光,林川,傅义珠,姚长军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。A self-aligned T-electrode structure of...
[期刊论文] 作者：张树丹,王因生,李相光,陈统华,谭卫东,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作...
[期刊论文] 作者：张树丹,李相光,林川,付义珠,姚长军,康小虎,,
来源：电子器件 年份：1997
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%.The experimental results of a self-...
[期刊论文] 作者：丁晓明,王佃利,李相光,蒋幼泉,王因生,黄静,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻...
[期刊论文] 作者：应贤炜, 王佃利, 李相光, 梅海, 吕勇, 刘洪军, 严德,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMO...
[期刊论文] 作者：傅义珠,李相光,戴学梅,盛国兴,王因生,王佃利,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
硅微波功率器件因其具有功率大、可靠性好、工作电压低等优点，在通讯、雷达等诸多系统中有着广泛的应用。随着系统向小型化、高机动化、高可靠方向发展，要求单只器件的输出功率......
[期刊论文] 作者：应贤炜, 王佃利, 李相光, 梅海, 吕勇, 刘洪军, 严德圣,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
...
[期刊论文] 作者：王因生,李相光,傅义珠,王佃利,丁晓明,盛国兴,康小虎,,
来源：半导体学报 年份：2008
报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs......
[期刊论文] 作者：傅义珠,李相光,张树丹,王佃利,王因生,康小虎,姚长军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=...
[会议论文] 作者：王佃利,李相光,刘洪军,蔡俊,傅义珠,盛国兴,王因生,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果....
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