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[期刊论文] 作者：村冈久志,王长河,,
来源：半导体情报 年份：1973
一、引言制造集成电路的工艺周期长又复杂,在各个制造工艺中影响最终的电特性的主要因素很多。为了提高集成电路的电特性,找到这些因素以改进工艺是很必要的。其中一个重要...
[期刊论文] 作者：岩渊真三郎,村冈久志,,
来源：半导体设备 年份：1978
随着半导体器件的飞速发展,半导体硅片的大直径是不可避免的,近2～3年片子直径正由3时向4时转变。面对着4时片子的日趋实用化,本文例举了单晶切翻、研磨技术的各种问题,进行了...
[期刊论文] 作者：村冈久志,川井秀夫,硲野重喜,宋大有,,
来源：上海有色金属 年份：2004
七十年代,硅单晶进入了一个新的发展阶段。一个是所谓完整晶体的质的方向,一个是所谓大容量、自动化设备方面的转折期的到来。前者为金属-氧化物——半导体大规模集成电路或...
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