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[期刊论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 张宇,
来源：红外与激光工程 年份：2018
锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现...
[期刊论文] 作者：尚金铭, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一,
来源：红外与激光工程 年份：2018
GaSb基光泵浦半导体碟片激光器(OP-SDLs)可以获得高光束质量和高功率的红外激光输出,是近年来新型中红外激光器件研究领域的热点。文中介绍了GaSb基光泵浦半导体碟片激光器增...
[期刊论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 张宇,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[期刊论文] 作者：尚金铭, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[会议论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 袁野, 张宇, 徐应强,
来源： 年份：2004
2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测、医疗美容和工业加工领域具有十分广泛的应用价值。锑化物半导体低维材料,是实现中红外波段半导体激...
[期刊论文] 作者：张一, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭, 黄书,
来源：红外与激光工程 年份：2018
3~4μm波段中红外激光器在工业气体检测、医学医疗和自由空间光通信等诸多领域具有十分重要的应用。目前锑化物半导体带间级联激光器是实现中红外3~4μm波段的理想方案。带间...
[会议论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 袁野, 张宇, 徐应强,,
来源：全国第十七届红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集 年份：2019
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[期刊论文] 作者：谢圣文, 杨成奥, 黄书山, 袁野, 邵福会, 张一, 尚金,
来源：红外与激光工程 年份：2018
2μm波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升,综述和讨论了2μm波段GaSb基激光器结构的发展过程,介绍了目前...
[期刊论文] 作者：张一, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭, 黄书山,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[期刊论文] 作者：谢圣文, 杨成奥, 黄书山, 袁野, 邵福会, 张一, 尚金铭,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[会议论文] 作者：谢圣文,张宇,徐应强,廖永平,柴小力,杨成奥,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：杨成奥,廖永平,柴小力,谢圣文,张宇,徐应强,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：黄书山,张宇,杨成奥,谢圣文,徐应强,倪海桥,牛智川,
来源：中国激光 年份：2018
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0 A时, 室温连续模式下的输出功率达到300 mW, 最大插头效率为 8.3%。镀膜器件在注入电流为2.6 A时, 室温连续模式下的输出功......
[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
通过MBE外延系统生长了22μGaSb基A1GaAsSb／InGaSbI型量子阱激光器，并制备了宽面条形波导激光器件，在20℃工作温度下，器件最大连续激射功率达到1．058W，当注入电流为0．5A时，峰值波长为......
[期刊论文] 作者：袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐,
来源：红外与毫米波学报 年份：2020
通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µ...
[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
通过MBE外延系统生长了2μm GaSb基AlGaAsSb/InGaSb Ⅰ型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058 W,当注入电流为0.5A...
[期刊论文] 作者：黄书山,杨成奥,张宇,谢圣文,廖永平,柴小力,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMS...
[期刊论文] 作者：李欢,杨成奥,谢圣文,黄书山,柴小力,张宇,王金良,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
成功制备出室温激射波长为2μm的GaSb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件’并获得室温2...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化...
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