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[期刊论文] 作者：杨谟华,
来源：电子学报 年份：1993
本文基于理论分析和实验研究，分别在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋外延和硅单晶基片上实现了１３００Ｖ及１６００Ｖ高压ＩＧＢＴ；并进而证实了获得高压ＩＧＢＴ相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化，低缺陷密度高性......
[期刊论文] 作者：杨谟华,
来源：电子科技大学学报 年份：1993
基于理论概括与实验研究，已经在Ｎ＾－／Ｎ＾＋／Ｐ＾＋外延基片上获得了１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ；并进而指出了实现该器件相相关联的关键技术。它们分别是：优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备，器件纵横向几何结......
[期刊论文] 作者：杨谟华,,
来源：电子管技术 年份：2004
一、引言在带标志性的现代化工业产品彩色显像管中,由于其电子束的加速和聚焦以及萤光屏的电激发光都是靠高压电场的作用而产生的,这自然就要求彩色管必须具备耐高压的效能...
[期刊论文] 作者：杨谟华,
来源：成都电讯工程学院学报 年份：1988
本文就单片集成双二次开关电容滤波器所涉及的关键环节——基本组态、模拟优化和集成实现——进行了分析探讨.其中强调了 SCF 网络各基本电子单元设计考虑的主要着眼点,概括...
[期刊论文] 作者：杨谟华,
来源：成都电讯工程学院学报 年份：1985
本文讨论了全单片NMOS运放的集成和主要由它组构的单片化新型MOS模拟电路,并得到了相应的计算机模拟和集成结果。This paper discusses the integration of the monolithic...
[期刊论文] 作者：何茗,杨谟华,
来源：微电子学 年份：2004
基于3 V、0.34 μm CMOS工艺技术,设计了一种提高信号幅度的自举模拟开关,其线性区的导通电阻约为0.5 Ω;输入信号通过该开关后,动态范围达到满幅度,并能将0～3 V的时钟电压提...
[期刊论文] 作者：肖兵,杨谟华,
来源：电子科技大学学报 年份：1996
对Ｓｉ－ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制备方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００￣４００Ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。......
[期刊论文] 作者：杨谟华,肖兵,
来源：电子科技大学学报 年份：1994
论述分析了现代ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ电路可靠性监测与模拟技术的研究进展、应用趋势以及相关的新型监测分析技术，并讨论了其研究设计与发展方向。...
[期刊论文] 作者：杨谟华,于奇,
来源：电子科技大学学报 年份：1995
基于电流跟随器和负反馈原理，并结合电流镜像与虚地技术，得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的１２０ｋＨｚ￣８ＭＨｚ恒定带宽，增益０￣６０ｄＢ可调，最高稳定工作频率５ＭＨｚ，功耗５．２ｍＷ的高性能ＣＭＯＳ放大器，其ＳＰＩＣＥ模拟表明，该放大器电气性......
[期刊论文] 作者：陈勇,杨谟华,
来源：电子学报 年份：2000
本文在分析ＭＯＳＦＥＴ衬底电流原理的基础上，提出了一种新型抗热载流子退化效应的ＣＭＯＳ数字电路结构、即通过在受热载流子退化效应较严重的ＮＭＯＳＦＥＴ漏极串联－－肖特基二级管，来减少其所受电应力，经ＳＰＩＣＥ及电路可......
[期刊论文] 作者：杨谟华,于奇,
来源：电子学报 年份：1999
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的值电压解析模型，并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、ＤＩＢＬ、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要......
[期刊论文] 作者：杨谟华,方朋,
来源：电子科技导报 年份：1998
论述了ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性的监测与模拟领域的技术背景、研究特点、技术进展与现代监测分析技术，并进而讨论了ＶＬＳＩ可靠性工程技术发展趋势。...
[期刊论文] 作者：杨谟华,江泽福,
来源：半导体学报 年份：1997
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器，ＣＭＯＳＡＢ类放大器，反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的３μｍ硅栅ＣＭＯＳ单片化集成技术，已经获得了一种具有３００ｋＨｚ－１ＭＨｚ恒带宽，０－２０ｄＢ可调增闪，５．６ｍＷ功耗的新......
[期刊论文] 作者：杨谟华,黎展荣,
来源：半导体学报 年份：1994
我们的实验研究结果表明，已经在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２＇＇－３＇＇１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延片，且将其成......
[期刊论文] 作者：杨谟华,孔学东,
来源：半导体学报 年份：2000
基于ＭＯＳＦＥＴ热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔＩｄｓ／Ｉｄｓｏ、Ｉｓｕｂ等实测数据的拟合处理，发现了可表征退化物理意义的衬底电流与退化／寿命参数提取模型；进而由自动测试ＡＴＥ与ＣＡＤ技术相......
[期刊论文] 作者：王煜之,杨谟华,,
来源：电子管技术 年份：2004
本文介绍了双电位引线的整个制作工艺。其特点是采用较高的温度加工与预热,并给以充分的热处理时间,同时还提出了一种简单鉴别双电位引线质量的方法。本文阐明了彩色管耐高压...
[期刊论文] 作者：杨谟华,徐宗宁,
来源：通信学报 年份：1988
本文就单片集成双二次开关电容滤波器所涉及的关键环节基本组态、模拟优化和集成设计进行了分析探讨。阐述了实验集成SCF的版图布局和工艺设置的主要依据及实践。已经采用先...
[期刊论文] 作者：徐刚,王妍,杨谟华,
来源：微电子学 年份：2008
基于“运放共享”电路工作原理，研究了流水线A／D转换器的MDAC模块因采用“运放共享”结构引入的“记忆效应”；搭建实际电路，测试出“记忆效应”因子；采用Matlab，仿真了此效应对12位......
[会议论文] 作者：程亮,于奇,杨谟华,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会 年份：2007
二次温度补偿的高精度带隙基准源是高性能模拟和数模混合集成电路的重要组成部分,其精度影响了整个系统的精度。本文对一次温度补偿的带隙基准源的基本原理进行了分析,着重介...
[期刊论文] 作者：陈勇,杨谟华,朱德之,
来源：半导体学报 年份：1999
在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结果与实验数据较好吻合．结果表明，直流及......
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