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[学位论文] 作者：栾苏珍,,
来源：西安电子科技大学 年份：2008
随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件的发展。改变器件结构是最有效的解决方法之...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
Nanoscale Schottky barrier metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are explored by using quantum mechanism effects for thin-body devices. T...
[期刊论文] 作者：王瑾,刘红侠,栾苏珍,,
来源：微电子学 年份：2007
针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,
来源：物理学报 年份：2004
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,王瑾,,
来源：半导体学报 年份：2008
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,
来源：物理学报 年份：2004
为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,,
来源：物理学报 年份：2008
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模...
[期刊论文] 作者：栾苏珍, 汪钰成, 刘银涛, 贾仁需,
来源：null 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,栾苏珍,,
来源：物理学报 年份：2008
利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-S...
[期刊论文] 作者：刘红侠,匡潜玮,栾苏珍,ZHAO Aaron,TALLAVARJULA Sai,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2010
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾,,
来源：物理学报 年份：2008
研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势...
[期刊论文] 作者：贾仁需,张义门,张玉明,王悦湖,栾苏珍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线双晶衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）对在4H—SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H—SiC单晶薄膜的特性进行研究，发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由......
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾,匡潜玮,,
来源：半导体学报 年份：2008
推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来...
[期刊论文] 作者：栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾,匡潜玮,
来源：半导体学报 年份：2008
推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型，模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应．利用三角势垒近似求解薛定谔方程，得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到......
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