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[期刊论文] 作者:黄丹,武继斌(图),
来源:中国西藏 年份:2019
60年前,政教合一的封建农奴制在西藏终结,久经黑暗痛苦的西藏人民从此走向光明幸福,高原迎来'生命之春'。60年来,雪域高原奏响了人类发展进步的壮丽凯歌,创造了短短...
[期刊论文] 作者:刘帅, 蔡道民, 武继斌,,
来源:太赫兹科学与电子信息学报 年份:2019
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标...
[期刊论文] 作者:德吉, 武继斌, 扎西德吉,,
来源:西藏大学学报(自然科学版) 年份:2015
目的:了解西藏高校预防医学专业就业率,毕业生所从事的职业等情况,为今后西藏高校招生及就业指导提供参考依据。方法:收集西藏大学2009~2012届本科毕业生就业信息并进行数据统计分......
[期刊论文] 作者:魏碧华,蔡道民,武继斌,,
来源:半导体技术 年份:2017
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级...
[期刊论文] 作者:王同祥,武继斌,张务永,,
来源:半导体技术 年份:2005
介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50 Ω,单片性能...
[期刊论文] 作者:武继斌,周换平,任芳,李凯,
来源:陕西煤炭 年份:2018
以EKF SL1000型采煤机摇臂行星减速架为例,对失效的轴颈采用焊接后车削加工的工艺对其修复,通过选用合适的焊材,严格控制修复工艺参数和变形量,恢复其尺寸等综合机械性能,为...
[期刊论文] 作者:武继斌, 吴洪江, 张志国, 高学邦,,
来源:微纳电子技术 年份:2004
GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHE...
[期刊论文] 作者:张书敬,杨瑞霞,武继斌,杨克武,,
来源:半导体学报 年份:2006
报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·...
[期刊论文] 作者:武继斌, 德吉, 拉巴桑珠, 扎西德吉, 次松,,
来源:中国医药导报 年份:2014
目的了解预防医学专业学生对课程设置的满意度及相关建议,进一步完善预防医学专业的课程设置。方法采用整群抽样方法对2008~2012级预防医学专业231名本科在校生进行问卷调查,...
[期刊论文] 作者:银军,武继斌,张志国,高学邦,吴洪江,,
来源:半导体技术 年份:2014
研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证。在此基...
[期刊论文] 作者:胡志富,崔玉兴,杜光伟,方家兴,武继斌,蔡树军,,
来源:半导体技术 年份:2014
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常...
[期刊论文] 作者:武继斌,郭玉洁,李少彤,赵丽娟,褚洪标,梁兆昌,
来源:井冈山大学学报:自然科学版 年份:2020
目的利用高效液相色谱法探究杜仲、厚朴和黄柏三种皮类药材不同贮藏期药效成分的含量变化。方法分别采用回流、超声和闪式三种方式对同批贮存一年以及贮存五年的杜仲、厚朴和...
[期刊论文] 作者:褚洪标,武继斌,赵丽娟,李少彤,郭玉洁,梁兆昌,
来源:江西中医药 年份:2022
目的:为了研究厚朴总生物碱有效部位的制备方法及抗炎活性,建立以N-降荷叶碱为主要研究对象的测定方法,通过不同的提取方法和不同的离子交换树脂比较厚朴总生物碱提取率的高低。方法:采用高效液相色谱方法进行含量测定;利用离子交换树脂洗脱方法,制备厚朴生物碱有效部......
[会议论文] 作者:杜鹏搏,张务永,张力江,王彪,张志国,武继斌,尹甲运,胡志富,付兴昌,
来源:第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:2014
本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用...
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