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[期刊论文] 作者：殷海丰,,
来源：天津科技 年份：2012
介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程，通过采用CVD化学气相外延生长技术，对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制，解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高......
[期刊论文] 作者：王文林,薛兵,殷海丰,,
来源：甘肃科技 年份：2013
随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展，对用于制作器件的外延片的要求也越来越高，其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀性。由于衬底自掺杂与系统杂质因素的影响，使......
[期刊论文] 作者：玉文林,薛兵,殷海丰,,
来源：黑龙江科技信息 年份：2013
本文通过对荣华二采区10...
[期刊论文] 作者：殷海丰, 傅颖洁, 陈涛,,
来源：甘肃科技 年份：2012
随着高频大功率器件的广泛应用,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是外延层电阻率。为了提高器件的工作频率与工作电压,要求外延层电阻率要高,电阻率均匀...
[期刊论文] 作者：殷海丰,徐永宽,薛兵,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了研制适用于大功率PIN二极管的硅外延材料的工艺过程，采用CVD化学气相外延生长技术，对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制，实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过大量实验，利用......
[期刊论文] 作者：张继荣,殷海丰,佟丽英,刘锋,赵光军,
来源：半导体技术 年份：2004
通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响。采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有...
[期刊论文] 作者：徐永宽,李强,程红娟,殷海丰,于祥潞,杨丹丹,刘金鑫,岳洋,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
利用自制立式HVPE设备，在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验，生长温度1000℃。在采用H2作载气情况下，由于预反应严重，没能生长出AlN薄膜，只得到一些白色AlN粉末；而在......
[期刊论文] 作者：徐永宽,李强,程红娟,殷海丰,于祥潞,杨丹丹,刘金鑫,岳洋,张峰,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉...
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