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[学位论文] 作者：毛祥军,
来源：北京大学 年份：1998
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有很大的不同,结合扩散特征的分析,得到了Zn在G...
[期刊论文] 作者：毛祥军,杨志坚,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长Ｍｇ：ＧａＮ，在Ｎ２气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量。分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ和４５０ｎｍ两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的醚源作了探讨，提出深Ｎ空位能级到Ｍｇ有......
[期刊论文] 作者：毛祥军,叶志镇,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在Ａｌ２Ｏ３上生长一层ＺｎＯ再用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长ＧａＮ，实验发现低温生长ＣａＮ过渡层有利于晶体质量的提高，ＰＬ谱主峰红移到蓝光区，二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）测量发现有Ｚｎ扩散到ＧａＮ外延层，Ｚｎ的扩......
[期刊论文] 作者：毛祥军,叶志镇,
来源：高技术通讯 年份：1999
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高；样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区，这对于研制蓝色ＬＥＤ具有一定的启发意义。......
[期刊论文] 作者：毛祥军,杨志坚,张国义,叶志镇,
来源：高技术通讯 年份：1999
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高；样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区，这对于研制蓝色ＬＥＤ具有一定的启发意义GaN was grown on a ZnO / Al2O3 substrate u......
[期刊论文] 作者：毛祥军,杨志坚,李景,屈建勤,张国义,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红移到蓝光区；二次......
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