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[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,
来源：半导体情报 年份：1994
介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特......
[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了扫描光致发光光谱（ＰＬｍａｐｐｉｎｇ）在表征半绝缘砷化镓（ＳＩ－ＧａＡｓ）材料中的应用，实验结果表明ＳＩ－ＧａＡｓ晶片的强度及ｍａｐｐｉｎｇ均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制备器件筛选优质的ＳＩ－ＧａＡｓ材料时，除了电阻率、迁移率......
[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,
来源：半导体杂志 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,
来源：半导体技术 年份：1994
本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量......
[期刊论文] 作者：汝琼娜,李光平,
来源：微细加工技术 年份：1994
本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技......
[会议论文] 作者：华庆恒,汝琼娜,
来源：中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份：1999
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[会议论文] 作者：李光平,汝琼娜,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李光平,李静,汝琼娜,
来源：半导体情报 年份：1996
对在线工艺过程中实际使用的薄片（厚度为０．５ｍｍ左右）ＧａＡｓ试样中Ｃ浓度和ＥＬ２浓度的测量方法进行了研究，解决了常规方法难以测量薄片ＧａＡｓ中杂质含量的问题。The measurement method of the C concen......
[期刊论文] 作者：何秀坤,张建辉,汝琼娜,
来源：洗净技术 年份：2003
本文主要介绍了印制电路板组装件焊接后非ODS清洗剂清洗质量表征参数的测量方法.这些参数主要包括:外观,干燥度、离子污染、助焊剂残留、表面绝缘电阻和电迁移等....
[期刊论文] 作者：汝琼娜, 李光平, 何秀坤,,
来源：微细加工技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：汝琼娜,李光平,何秀坤,
来源：稀有金属：英文版 年份：1994
ＳｐａｔｉａｌＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＧａＡｓＲｕＱｉｏｎｇｎａ；ＬｉＧｕａｎｇｐｉｎｇａｎｄＨｅＸｉｕｋｕｎ（汝琼娜）（李光平）（何秀坤）（ＴｉａｎｊｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ.........
[会议论文] 作者：张建辉,何秀坤,汝琼娜,
来源：2003年清洗技术国际论坛 年份：2003
气相色谱/质谱法是较低沸点有机物定性和定量测量的常用方法之一，本文详细介绍了该方法在非ODS清洗剂中三氟三氯乙烷(CFC-113)、1，1，1-三氯乙烷和四氯化碳等受控物质检测中的应...
[会议论文] 作者：何秀坤,汝琼娜,张建辉,
来源：中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,李静,杨瑞霞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
对示掺杂ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及Ａｓ沉淀的影响。......
[期刊论文] 作者：李光平,汝琼娜,何秀坤,李静,
来源：半导体情报 年份：1994
介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特......
[会议论文] 作者：何秀坤,李光平,汝琼娜,李静,
来源：中国电子学会第六届生产技术学分会学术年会 年份：2000
国外在砷化镓材料、器件及材料与器件之间关系的研究方面进展很快.国内有关研究单位在这方面做了一些工作,试图找出材料参数与电路参数之间的对应关系....
[会议论文] 作者：汝琼娜,李光平,李静,何秀坤,
来源：中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份：1999
随着大规模集成电路集成的迅速提高，器件工艺对材料的性能提出了更高的要求，过去的常规参数测量不足以表征ＣａＡｓ材料质量，材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因素。该文采......
[期刊论文] 作者：李光平,李静,汝琼娜,何秀坤,
来源：现代仪器使用与维修 年份：1999
本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。This articl...
[期刊论文] 作者：李静,冯倩,何秀坤,汝琼娜,周智慧,
来源：微纳电子技术 年份：2005
通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响.实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌.n型GaN薄膜...
[期刊论文] 作者：何秀坤,王琴,汝琼娜,李光平,,
来源：Rare Metals 年份：1993
Determination of substitutional carbon in SI-GaAs thin wafers was investigated by FT-IR microscopeat room temperature for the first time.The experimental result...
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