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[期刊论文] 作者：汤寅生,,
来源：科学 年份：1994
随着对半导体微结构(如量子阱,超晶格,以下统称为二维结构)研究的深入,以及半导体超精细加工(如电子束光刻)技术的发展,人们已可制成一类新的半导体结构,即半导体纳米级结构...
[期刊论文] 作者：汤寅生,
来源：半导体技术 年份：1986
本文介绍了一种低温低压CVD技术——光CVD技术的原理、设备、薄膜淀积及在半导体工艺中的应用.这种技术符合半导体工艺低温化的要求,可能简化目前的半导体器件生产工艺.文中...
[期刊论文] 作者：汤寅生,孙建诚,
来源：微电子学与计算机 年份：1985
本文介绍了光CVD的基本原理、设备及典型工艺条件,成膜性能和在半导体工艺中的应用.文中还讨论了光CVD的应用前景。This paper introduces the basic principle of optical...
[期刊论文] 作者：江德生,汤寅生,
来源：红外研究 年份：1989
研究了量子阱材料光反射光谱的电调制机理,根据斯塔克效应,对量子阱中非激子的带间跃迁和激子跃迁两种情况,分析了电场引起的介电函数的改变和相应的光反射调制光谱线形,对Ga...
[期刊论文] 作者：汤寅生,江德生,
来源：红外研究(A辑) 年份：1988
报道了GaAs-AIAs多量子阱(MQW)结构的室温光调制反射(PR)光谱。与2K下光荧光激发谱的对比表明室温下激子作用的重要性。讨论了GaAs-AlAsMQW结构的PR调制机制,指出它仍可能是...
[期刊论文] 作者：汤寅生,江德生,
来源：半导体学报 年份：1988
本文首次报道了异质结NIPI结构的室温光调制反射光谱及其随调制光强的变化,并对调制机制进行了讨论.最后,通过比较理论与实验结果,对所观测到的跃迁过程进行了指派.This pa...
[期刊论文] 作者：汤寅生,江德生,庄蔚华,K.Ploog,
来源：发光学报 年份：1991
异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不...
[期刊论文] 作者：汤寅生,江德生,庄蔚华,孔梅影,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The two-dimensional electron gas concentration dependence of photore-flectance of n-AlGaAs/GaAs heterostructures is reported and explained by analysing the phys...
[期刊论文] 作者：汤寅生,江德生,庄蔚华,孔梅影,徐英武,
来源：半导体学报 年份：1991
测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结...
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